云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- INGAAS/GAAS量子阱

INGAAS/GAAS量子阱: 作品数：13被引量：27H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：邓军盖红星韩军李建军沈光地更多>>; 相关机构：中国科学院重庆大学北京工业大学南开大学更多>>; 相关期刊：《江西通信科技》《中国激光》《发光学报》《光电子．激光》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划重庆市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>

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应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980nm半导体激光器中的应用被引量：7: 《量子电子学报》2005年第1期81-84,共4页俞波盖红星韩军邓军邢艳辉李建军廉鹏邹德恕沈光地; 国家973基金资助项目(G20000683-02)国家863计划资助项目(2002AA312070)北京市自然科学基金(4032007); 使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs 980 nm量子阱。研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响。并将优化后的量子阱生长条件应用于980 nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19 mA,未镀膜斜率效率为0.6 W/A...; 关键词：光电子学半导体激光器应变量子阱金属有机化学气相淀积