INGAAS/INGAASP

作品数：19被引量：22H指数：3
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大功率980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器热特性被引量：2
《中国激光》2009年第6期1356-1359,共4页裘利平 郭伟玲 罗丹 崔碧峰 张蕾 沈光地 
国家863计划(SQ2007AA03Z431230)资助课题
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性...
关键词：激光器 大功率激光器 热特性 无铝 特征温度 
InGaAs／InGaAsP分别限制应变量子阱激光器的研制及其特性研究
《中国激光》1995年第8期575-578,共4页安海岩 杨树人 李玉东 胡礼中 刘式墉 
报道了利用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ技术生长高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果．宽而激光器实现了室温脉冲受激发射．激射波长为１．４９μｍ，在腔长为２０００μｍ时，最低阈值电流...
关键词：LP-MOVPE 量子阱激光器 INGAAS INGAASP 激光器 
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