LPE

作品数：102被引量：129H指数：6
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Gap－LPE掺S浓度的控制及对发光效率的影响
《半导体光电》1995年第4期329-332,共4页甘润今 王德明 张福甲 
甘肃省自然科学基金
报道了具有双ｎ型结构的ＧａＰ绿色发光二极管在汽相掺杂、液相外延过程中，对硫（Ｓ）掺杂浓度的控制和监测方法，并研究了掺Ｓ浓度对发光效率的影响。
关键词：光电器件 半导体工艺 特性测试 发光效率 
LPE制作平面型InGaAs/InP APD
《半导体光电》1993年第1期41-47,共7页郑显明 
叙述了用液相外延(LPE)制作 InGaAsP/InP 雪崩光电二极管(APD)的物理性能。分析了该器件的设计参数。介绍了器件结构、器件制作中 LPE 生长条件及器件性能。最后,评述了器件发展水平及改进意见。
关键词：半导体材料 LPE APD 外延生长 
改变衬底表面的晶向对非平面 LPE 生长结构的影响
《半导体光电》1989年第2期57-59,共3页杨海泉 张兴德 
改变衬底(100)面向[011]方向倾斜的角度α,可以得到不同的波导结构。
关键词：衬底 晶体生长 波导结构 晶向 
金属有机化学汽相淀积技术
《半导体光电》1987年第2期-,共8页张道银 程泰平 
本文主要介绍MOCVD技术。以实例对MOCVD技术与LPE技术、氯化物CVD和MBE技术进行了比较。评价了MOCVD技术在半导体光电器件制备领域内的作用。
关键词：MOCVD 半导体光电器件 激光器 光激射器 电子器件 外延层 氯化物 卤化物 GaAs 载流子浓度 载流子密度 LPE 外延生长 晶体生长 
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