MSM光电探测器

作品数：19被引量：30H指数：3
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In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究
《Journal of Semiconductors》1993年第12期748-753,共6页王庆康 史常忻 
本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响...
关键词：金属-半导体 光电探测器 光电响应 
p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第3期194-197,共4页史常忻 A.Mesquida Kusters A.Kohl R.Muller K.Heime 
国家自然科学基金会与德国德意志研究联合会联合资助
本文首次对具有p-InGaAs肖特基势垒增强层的p-InGaAs/n-InGaAs MSM光电探测器做了较系统研究。实验结果表明:具有20nm厚增强层器件的暗电流为3.5×10(-11)A(5伏,30×40μm^2);而具有40nm厚增强层器件的FWHMM为350ps(6伏)。
关键词：光电探测器 p-InGaAs 肖特基势垒 
长波长低暗电流高速In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器被引量：5
《Journal of Semiconductors》1991年第12期767-770,共4页史常忻 K.Heime 
中国国家自然科学基金会和德国德意志研究联合会的联合资助
本文首次介绍了用低温MOVPE技术,研制成功具有非掺杂InP 肖特基势垒增强层的InCaAs金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD).其暗电流在 1.5伏下小于 60 nA(100 ×100)微米~2;响应时间t_r小于30 ps(6伏).其灵敏度在6 V下为0.42 A/W.
关键词：INGAAS MSM 光电探测器 暗电流 
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