表面电场

作品数：171被引量：677H指数：15
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带p埋层表面注入硅基LDMOS模型与优化被引量：4
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1267-1271,共5页李琦 张波 李肇基 
提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with pburied layer).通过表面注入n+薄层降低导通电阻,p埋层不但改善横向表面电场分布,提高击穿电压,而且增大漂移区优化浓度.求解电势的二...
关键词：p埋层 表面注入 表面电场 击穿电压 模型 
双面阶梯埋氧型SOI结构的耐压分析
《Journal of Semiconductors》2006年第5期886-891,共6页段宝兴 张波 李肇基 
在单面阶梯埋氧型SOI结构的基础上,提出了一种双面阶梯埋氧SOI新结构.双面阶梯的电荷积累作用使其纵向电场突破了传统上受界面电荷为零限制的3倍关系,埋氧层的电场可以高达200V/μm;而且双面阶梯对表面电场的调制作用使其表面电场达到...
关键词：双面阶梯埋氧SOI 电荷积累 表面电场 击穿电压 
埋空隙PSOI结构的耐压分析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第9期1818-1822,共5页段宝兴 张波 李肇基 罗小蓉 
提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不同衬底的场调制作用进一步优化了表面电场分布.在相同击...
关键词：RESURF结构 APSOI 自热效应 表面电场 击穿电压 
表面电场导致InGaAs/GaAs量子阱子带跃迁选择定则的改变
《Journal of Semiconductors》1997年第1期4-9,共6页王小军 刘伟 胡雄伟 庄婉如 王启明 
本文报道用MOCVD方法制作高质量的InGaAs／GaAs应变量子阱材料．单量子阱样品在室温光伏谱中出现清晰的11H、12H、21H和22H激子吸收峰．首次用室温光伏方法研究表面自建电场导致InGaAs／GaAs量子阱中子带间跃迁选择定则的改变．
关键词：量子阱 砷化镓 半导体物理 
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