表面钝化

作品数：241被引量：469H指数：8
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碲镉汞光伏探测器的变面积表面钝化研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》2008年第7期1383-1386,共4页乔辉 徐国庆 贾嘉 李向阳 
利用同一片碲镉汞材料制备了由单层ZnS和双层CdTe/ZnS作钝化膜的变面积光伏探测器,对两种钝化膜结构的变面积器件进行了对比研究.通过分析两种器件的电流-电压(I-V)特性曲线以及零偏电阻-面积乘积(R0A)与周长-面积比(p/A)的关系曲线,发...
关键词：钝化 变面积 散粒噪声 1/f噪声 光伏探测器 碲镉汞 
表面钝化硅纳米线的能带结构被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1927-1933,共7页尤思宇 王燕 
国家自然科学基金重大国际合作资助项目(批准号:90307016)~~
采用第一性原理的方法计算了不同尺寸的(100)硅纳米线在H饱和及F饱和下的电子结构.计算结果表明,F饱和与H饱和的(100)硅纳米线均为直接禁带半导体,但F饱和硅纳米线的禁带宽度和价带有效质量都远小于H饱和硅纳米线,这一现象可用价带顶的...
关键词：硅纳米线 表面钝化 氟化 能带 σ-n杂化 
CdZnTe材料的表面钝化新工艺被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1475-1479,共5页王昆黍 桑文斌 闵嘉华 腾建勇 张奇 夏军 钱永彪 
国家自然科学基金(批准号:10175040);上海市科委基金(批准号:03DZ11006)资助项目~~
研究了一种新的钝化CdZnTe(CZT)器件表面的工艺,即先采用KOH KCl溶液对CZT表面进行处理,再用NH4F/H2O2溶液对其进行表面氧化的二步法钝化工艺.并借助俄歇电子能谱(AES)、微电流测试仪等手段对其表面钝化层的质量进行了鉴别,同时与KOH KC...
关键词：CDZNTE晶体 表面钝化 漏电流 KOH-KCl溶液 NH4F/H2O2溶液 
GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第7期545-551,共7页陆尔东 徐彭寿 徐世红 余小江 潘海斌 张新夷 赵天鹏 赵特秀 
国家自然科学资金
应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与Ｇ...
关键词：砷化镓 表面钝化 MgGa合金 同步辐射 表面处理 
GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第7期505-510,共6页李喆深 蔡卫中 苏润洲 侯晓远 董国胜 金晓峰 丁训民 王迅 
国家自然科学基金
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇ...
关键词：砷化镓 钝化 氯化硫处理 
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