表面光电压法

作品数:8被引量:13H指数:3
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相关机构:广州市昆德科技有限公司浙江大学厦门大学复旦大学更多>>
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表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量:4
《Journal of Semiconductors》1999年第3期237-241,共5页屠海令 朱悟新 王敬 周旗钢 张椿 孙燕 
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
关键词:表面光电压法  抛光片 少子扩散长度 测量 
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