超辐射发光管

作品数：29被引量：39H指数：4
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双注入区量子点超辐射发光管的数值模拟
《微纳电子技术》2014年第5期286-296,共11页陈红梅 安琪 吴艳华 王飞飞 胡发杰 李新坤 金鹏 吴巨 王占国 
国家自然科学基金资助项目(61274072;60976057);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2013AA014201)
数值模拟了结构参数(超辐射区腔长和脊宽,光放大区腔长和张角)对双注入区量子点超辐射发光管器件性能(光谱和功率等)的影响。结果表明,当器件超辐射区注入电流和放大区注入电流均固定时,随着超辐射区腔长的增加,输出光谱中激发态强度减...
关键词：超辐射发光管(SLD) 量子点(QD) 双注入区结构 器件模型 结构参数 
量子点超辐射发光管研究进展(续)
《微纳电子技术》2009年第9期513-517,共5页吕雪芹 王佐才 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(2006CB604904);国家自然科学基金(60976057;60876086;60776037)
关键词：超辐射发光管 量子点 光纤陀螺仪 光时域反射计 可调谐激光器 时间相干性 性能要求 耦合效率 
量子点超辐射发光管研究进展被引量：2
《微纳电子技术》2009年第8期449-456,共8页吕雪芹 王佐才 金鹏 王占国 
国家重点基础研究发展计划(2006CB604904);国家自然科学基金(60876086;60776037)
简要回顾了超辐射发光管(SLD)的发展历史、量子点SLD的提出及优点,介绍了SLD的工作原理、器件结构及表征参数,详细分析了近年来国内外各研究小组在提高量子点SLD性能方面的研究进展。基于自组织量子点的尺寸非均匀分布特征、优化的有源...
关键词：超辐射发光管 自组织量子点 尺寸非均匀性 宽光谱 大功率 
GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量子阱超辐射发光管材料制备及表征被引量：5
《发光学报》2007年第6期885-889,共5页李梅 李辉 王玉霞 刘国军 曲轶 
国家重点实验室基金资助项目(06zs3601)
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为了制备高功率半导体超辐射发光管,并且得到比较大的光谱宽度、大的单程增益和抑制电流饱和,我们研究设计了具有850nm辐射波长的GaAlAs/GaAs非均匀阱宽多量...
关键词：超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 光致发光 
1.55μm超辐射发光管端面减反射膜的研究
《光学仪器》2006年第4期159-163,共5页聂明局 刘德明 胡必春 
减反射膜层折射率和厚度的精密监控是超辐射发光管的关键技术。分析了超辐射发光管端面减反射膜的四种膜系,提出了监控薄膜厚度的挡板调制、高级次过正极值法。采用该法制备超低剩余反射膜的实验表明:单面镀膜后,砷化镓基片的剩余反射...
关键词：减反射膜 挡板调制法 超辐射发光管 
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
《光学仪器》2004年第2期51-54,共4页常进 张军 王定理 刘应军 甘毅 李林松 黄晓东 刘涛 邬江帆 
国家"863计划"资助项目(2003AA311080)
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
关键词：宽带增透膜 超辐射发光管 极低剩余反射率 放大自发辐射 半导体激光器 三层减反射膜 
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