超晶格结构

作品数：87被引量：102H指数：4
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优质Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM—APD超晶格结构的MBE生长被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第11期715-717,共3页林耀望 
本文描述了采用Varian GenⅡMBE系统,和VA-175型砷裂解炉,以及5个“9”的铍作p型掺杂剂,严格仔细地控制外延生长过程,成功地制备了优质的Al_xGa_(1-x)As/GaAs(x≤0.6)SAM-APD超晶格结构外延材料。倍增层p-Al_(0.6)Ga_(0.4)As的载流子浓...
关键词：化合物半导体 超晶格 结构 MBE生长 
用椭偏光学方法研究Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格结构
《Journal of Semiconductors》1993年第10期605-611,共7页秦林洪 郑有炓 张荣 
本文讨论分析了半导体超晶格的椭偏光学性质,首次采用多入射角椭圆偏振光学方法研究了半导体超晶格结构,实验测量给出了Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格各子层的厚度、复折射率和组份等基本结构参量。本方法测量简便,重复性好,对样品无破坏作用,...
关键词：半导体材料 GESI/SI 超晶格 结构 
ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构光致发光研究
《Journal of Semiconductors》1991年第3期165-171,共7页关郑平 范广涵 宋世惠 范希武 
863高技术课题;国家自然科学基金
本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Penney模型计算了n=1的激子峰值能量与势阱宽度、势垒高度涨落...
关键词：ZnSeS/ZnSe 超晶格 结构 光致发光 
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