云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GESI/SI

GESI/SI: 作品数：28被引量：26H指数：3; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李国正刘学锋刘恩科孔梅影孙殿照更多>>; 相关机构：中国科学院西安交通大学复旦大学北京大学更多>>; 相关期刊：《集美航海学院学报》《应用光学》《光电子．激光》《功能材料与器件学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金“九五”国家科技攻关计划中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>

Design and Manufacture of GeSi/Si Superlattice Nanocrystalline Photodetector: 《Semiconductor Photonics and Technology》2006年第1期21-24,共4页LIU Shu-ping JIA Yue-hu; Education Foundation of Shanxi Province(200341); According to Maxwell’s theory, the optical transmission characteristics in GeSi/Si superlattice nanocrystalline layer have been analyzed and calculated. The calculated result shows that when the total thickness L is ...; 关键词：GESI/SI Superlattice nanoerystalline PHOTODETECTOR

国内外MSSBIRFPA的发展现状及其应用: 《集成电路通讯》2003年第4期8-12,共5页程开富; 本文介绍国内外金属硅化物肖特基势垒红外焦平面阵列(MSSBIRFPA)的发展现状。概述了PtSi、IrSi、GeSi／SiMSSBIRFPA的研制和开发水平，同时也介绍了MSSBIRFPA技术在军事上的应用情况及发展方向。; 关键词：MSSBIRFPA 金属硅化物肖特基势垒红外焦平面阵列 PTSI IrSi GESI/SI 应用 CCD CMOS MOS

GeSi/Si多层异质外延载流子浓度的分布被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2001年第3期288-291,共4页张秀兰朱文珍黄大定; 通过实验确定了一种与 Gex Si1 - x合金表面具有良好电化学界面的电解液 ,利用电化学 C- V方法研究了多层Gex Si1 - x/ Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布 .实验结果表明 :采用这种电解液 ,利用电化学 C- V载流子浓度纵向分布测量仪检...; 关键词：电解液电化学C-V法硅化锗载流子浓度多层异质外延

SOI及GeSi/Si脊形光波导的模式与波导几何结构被引量：8: 《光学学报》2001年第5期556-558,共3页魏红振余金中张小峰韩伟华刘忠立王启明史伟房昌水; 国家自然科学基金! (6 9896 2 6 0;6 9990 5 40 )资助项目; 用有效折射率方法对SOI(绝缘体上硅 )及GeSi Si脊形光波导的单模条件进行了模拟 ,与Soref的单模条件进行了比较 ,将两者与实验结果进行了比较 ,得到了与实验结果符合得非常好的单模条件。同时对多模波导进行了模拟。; 关键词：集成光学脊形光波导 SOI GESI/SI 模式几何结构

Ge_xSi_(1-x)/Si中应变的会聚束电子衍射研究被引量：1: 《功能材料与器件学报》2000年第4期403-405,共3页范缇文吴巨王占国; 介绍了会聚束电子衍射 (CBED)技术与计算机模拟相结合测定GexSi1-x Si化学梯度层中应变分布的实验结果 ,提供了一种高空间分辨率、高灵敏度 ,且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。; 关键词：会聚束电子衍射计算机模拟应变 GESI/SI

GeSi/SiMach-Zehnder干涉型调制器的研制被引量：1: 《光电子．激光》2000年第1期14-16,共3页李宝军万建军李国正刘恩科胡冬枝裴成文秦捷蒋最敏王迅; 国家"八六三"计划资助项目;国家自然科学重点基金资助项目!( 696360 1 0 );中国博士后基金; 基于 Ge Si合金的等离子体色散效应 ,研制了一种 Mach- Zehnder干涉型调制器 ,通过对其损耗和调制特性的测试得到 :调制器对 1 .3μm光的插入损耗为 6 .5 d B,最大调制深度达 86 % ,相应的 π相移调制电压为 0 .9V,关断电流和调制区的...; 关键词：调制器光波导硅化锗合金干涉型

GeSi/Si集成光对称定向耦合器: 《复旦学报（自然科学版）》1999年第4期405-409,共5页李宝军; 国家自然科学基金重点项目;中国博士后科学基金; 研究了一种适用于光纤通信的Ｓｉ基ＧｅＳｉ集成光波导定向耦合器．基于耦合模理论，对其功率传输特性进行了分析，得到了定向耦合器的耦合间距和耦合长度．其结果表明，在所得到的最佳耦合长度处，这种耦合器可将光从其输入波导一...; 关键词：定向耦合器光波导集成光学锗硅合金硅

改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法: 《真空科学与技术》1999年第A10期152-155,共4页雷震霖于卓; 本文阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因，定量地分析了有害残余气体的成分，提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。; 关键词：超高真空 CVD 外延残余气体硅锗材料性能

GSMBE外延生长GeSi/Sip-n异质结二极管被引量：4: 《Journal of Semiconductors》1999年第4期287-291,共5页刘学锋王玉田刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英; 国家九五科技攻关项目; 用气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）法生长了掺杂ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金并试制了ｐ－ｎ异质结二极管，Ｘ射线双晶衍射和二极管Ｉ－Ｖ特性表明，ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ合金的完整性与异质结界面的失配位错是影响异质结二极管反向漏...; 关键词：P-N结异质结二极管 GSMBE 外延生长

GSMBE生长掺杂Si及GeSi/Si合金及其电学性质研究被引量：1: 《Journal of Semiconductors》1998年第12期896-902,共7页刘学锋刘金平李建平李灵霄孙殿照孔梅影林兰英; 国家"九五"攻关项目; 用气态源分子束外延法对Ｓｉ及ＧｅＳｉ／Ｓｉ合金进行了Ｎ、Ｐ型掺杂研究，结果表明，杂质在外延层中的掺入行为取决于生长过程中乙硅烷与相关掺杂气体的竞争吸附与脱附过程，所获得的Ｎ型及Ｐ型载流子浓度范围分别为１．５×１０１６...; 关键词：GSMBE 硅硅化锗掺杂外延生长

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