衬底电流

作品数：13被引量：10H指数：2
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双极值衬底电流对高压MOS器件退化的影响
《半导体技术》2009年第3期247-250,共4页刘博 王磊 冯志刚 王俊 李文军 程秀兰 
基于0.18μm高压n型DEMOS(drain extended MOS)器件,报道了在衬底电流Isub两种极值条件下作高压器件的热载流子应力实验,结果发现器件电学性能参数(如线性区电流、开态电阻、最大电导和饱和漏电流)随应力时间有着明显退化。通过TCAD分...
关键词：高压器件 扩展漏端MOS 衬底电流 热载流子注入 
高压MOS晶体管双峰衬底电流分析及优化被引量：2
《半导体技术》2008年第4期316-319,共4页王俊 董业民 邹欣 邵丽 李文军 杨华岳 
利用0.15μm标准CMOS工艺制造出了工作电压为30V的双扩散漏端MOS晶体管。观察到DDDMOS的衬底电流-栅压曲线有两个峰。实验表明,DDDMOS衬底电流的第二个峰对器件的可靠性有一定的影响。利用TCAD模拟解释了DDDMOS第二个衬底电流峰的形成机...
关键词：高压器件 衬底电流 优化工艺 
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