液相外延材料

作品数：10被引量：20H指数：2
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50mm×50mm高性能HgCdTe液相外延材料的批生产技术被引量：11
《红外与毫米波学报》2017年第1期49-53,59,共6页孙权志 孙瑞赟 魏彦锋 孙士文 周昌鹤 徐超 虞慧娴 杨建荣 
国家自然科学基金(61306062)~~
采用富碲垂直液相外延技术实现了50 mm×50 mm×3高性能碲镉汞外延材料的制备.外延工艺的样品架采用了三角柱体结构,并设计了防衬底背面粘液的样品夹具.为保证大面积材料的均匀性,工艺中加强了对母液温度均匀性和组分均匀性的控制,50 mm...
关键词：碲镉汞 液相外延 大尺寸 高性能 
HgCdTe液相外延材料组分分布的红外透射光谱评价技术被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第3期534-538,共5页顾仁杰 张传杰 杨建荣 陈新强 魏彦峰 
对红外透射光谱法测定HgCdTe液相外延材料纵向组分分布技术进行了深入的研究.红外透射光谱的理论计算采用了王庆学提出的组分分布模型,并考虑了光穿越组分梯度区时产生的干涉效应.通过测量同一样品在不同外延层厚度下的一组红外透射光谱...
关键词：HGCDTE LPE 红外透射光谱 纵向组分梯度 
Si/CdTe复合衬底HgCdTe液相外延材料的生长与性能分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第7期1078-1082,共5页徐庆庆 陈新强 魏彦锋 杨建荣 陈路 
通过改进推舟液相外延技术,成功地在（211）晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,（211）Si/CdTe复合衬底液相外延HgCdTe材料组分及厚度的均匀性与常规（111）CdZnTe衬底HgCdT...
关键词：Si/CdTe复合衬底 HGCDTE 液相外延 
工程通用技术
《中国学术期刊文摘》2005年第12期38-38,共1页
HgCdTe／CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究=Reciprocal space maps of HgCdTe/CdZnTe heterostructures grown by liquid phase epitaxy [刊，中]／王庆学(中国科学院上海技术物理研究所半导体材料与器件研究中心，上海200083)，魏...
关键词：通用技术 上海技术物理研究所 工程 液相外延材料 CDZNTE HGCDTE LIQUID 倒易空间图 space phase 半导体材料 中国科学院 MAPS 研究中心 功能材料 器件 
HgCdTe/CdZnTe液相外延材料的倒易空间图研究被引量：1
《功能材料与器件学报》2005年第1期112-116,共5页王庆学 魏彦锋 方维政 杨建荣 何力 
国家自然科学基金委创新研究群体科学基金(No.60221502)
采用高分辨X射线衍射的倒易空间图研究了HgCdTe/CdZnTe(-0.044%晶格失配)液相外延材料界面处晶格结构,结果显示,通常使用的10μm厚的碲镉汞液相外延材料的晶格相对碲锌镉衬底已处于完全弛豫状态,并且外延层和衬底的晶向发生了0.01°的偏...
关键词：HgCdTe/CdZnTe 倒易空间图 弛豫线模型 
p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2002年第2期91-94,共4页俞谦荣 杨建荣 黄根生 陈新强 夏义本 何力 
国家自然科学基金 (批准号 6942 5 0 0 2 )资助项目~~
利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ...
关键词：霍尔测试 二次离子质谱 电学性质 银掺杂 红外探测器 P型碲镉汞 液相外延材料 AG掺杂 
GaP:N液相外延材料发光区域的荧光测量
《光学学报》2000年第5期707-710,共4页陈显锋 丁祖昌 董绵豫 
通过磨斜角 ,用光致发光法测量了 Ga P:N液相外延 (L PE)材料中 n区和 p区的发光强度。从被测点的荧光谱中可以看出 ,n区和 p区均为发光区域 ,但是在 p- n结两侧氮 (N)浓度大致相同的情况下 ,p区的发光强度明显高于 n区的发光强度 ,约...
关键词：液相外延材料 掺氮磷化镓 荧光测量 发光区域 
P型掺杂GaAs液相外延材料的辐射复合研究
《浙江大学学报（自然科学版）》1995年第1期126-130,共5页华伟民 沈雅珍 陈美云 
国家自然科学基金;浙江省分析测试基金
对Ｓｉ掺杂和Ｚｎ掺杂ｐ型ＧａＡｓ液相外延材料在３００Ｋ～６０Ｋ温区的辐射复合进行了光致发光研究。用发射波长为５１０．６ｎｍ和５７８，２ｎｍ的溴化亚铜激光器作为激发光源，样品的低温由氦循环制冷机提供，样品室温度在１０Ｋ...
关键词：辐射复合 砷化镓 光致发光谱 P型 液相外延 
p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究
《光电子技术》1993年第4期59-63,共5页华伟民 陈美云 沈雅珍 董绵豫 张松斌 丁祖昌 
国家自然科学基金; 浙江省分析测试基金
对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的...
关键词：光致发光 掺杂 液相外延 砷化镓 
长波Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延材料的研制及其特性
《激光与红外》1989年第5期39-46,共8页陶长远 
在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能够起到维持系统的汞压平衡和调整母液组份的作用,系统的温度分布、两温区降温的同步性及生长过冷度△T...
关键词：HGCDTE材料 液相外延 制备 
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