串联电阻

作品数：236被引量：515H指数：11
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激光掺杂选择性发射极太阳电池工艺研究被引量：5
《微纳电子技术》2016年第1期43-47,共5页弭辙 陈诺夫 白一鸣 付蕊 刘虎 陈吉堃 
国家自然科学基金资助项目(61006050);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA050507);北京市自然科学基金资助项目(2151004);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(13ZD05)
研究了激光掺杂选择性发射极太阳电池工艺中不同激光功率对磷原子掺杂浓度、硅片表面损伤程度的影响及发射极方阻与电池串联电阻随激光功率的变化情况。通过对磷原子浓度分布曲线的观察,阐明了磷原子浓度对选择性发射极电池性能的影响机...
关键词：激光掺杂 选择性发射极 太阳电池 串联电阻 外量子效率(EQE) 
基于高效太阳电池的光诱导镀技术
《微纳电子技术》2011年第12期802-808,共7页邢钊 贾锐 吴大卫 孟彦龙 武德起 陈宝钦 刘新宇 叶甜春 
国家自然科学基金资助项目(11104319;51172268)
介绍了光诱导镀(light-induced plating,LIP)应用于太阳电池的背景、发展历史及其工作原理。论述了光诱导镀技术对太阳电池性能的影响,并重点探讨了光诱导镀技术对太阳电池前表面电极接触性能的改善效果。同时,还讨论了光诱导镀技术应...
关键词：光诱导镀(LIP) 太阳电池 电极接触 串联电阻 填充因子 
GaNHEMT栅源与栅漏表面态与电流崩塌相关性探讨
《微纳电子技术》2006年第6期270-272,283,共4页靳翀 卢盛辉 杜江锋 罗谦 周伟 夏建新 杨谟华 
国家自然科学基金(60072004)
基于实验测试数据,综合分析了栅源、栅漏串联电阻增大后电流崩塌I-V曲线变化差异。研究表明:在脉冲测试条件下,RS增大,栅下沟道开启程度减弱,漏电流ID变小;RD增大,栅下沟道漏端等效漏电压减小,膝电压VKNEE变大。该实验结果可望通过RD与R...
关键词：电流崩塌 串联电阻 氮化镓高电子迁移率晶体管 表面态 
场效应晶体管与模拟晶体管(静电感应晶体管)
《微纳电子技术》1976年第1期21-38,共18页西泽润一 罗海云 
业已指出,普通场效应晶体管之所以表现出饱和特性,其原因是:随着漏电压的增加,在接近夹断电压时由于沟道串联电阻显著增大而提高了负反馈效应,此时表观跨导G′_m=G_m/(1+r_s·G_m)变为G′_m(?)r_s^(-1)。还指出,1950年Watonabe(渡边)和N...
关键词：静电感应晶体管 串联电阻 负反馈 电力电子器件 输出反馈 本征栅 沟道 
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