李响

作品数：2被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：天津理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文主题：CO掺杂SIC稀磁半导体DMS稀磁半导体薄膜更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》更多>>
所获基金：天津市自然科学基金天津市高等学校科技发展基金计划项目国家自然科学基金天津市科技计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
非晶态SiO_2过渡层对生长C轴取向LiNbO_3薄膜的影响
《光电子．激光》2011年第11期1667-1670,共4页肖庆 安玉凯 李响 许丽丽 吴一晨 段岭申 刘技文 
天津市科技计划资助项目(06TXTJJC14600)
采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外吸收光谱(FT-IR)和扫描电子显微镜(SEM)对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过...
关键词：磁控溅射 LiNbO3薄膜 SiO2过渡层 C轴取向 
Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性被引量：2
《光电子．激光》2011年第7期1038-1041,共4页李响 安玉凯 肖庆 段岭申 吴忠华 刘技文 
国家自然科学基金资助项目(10904110,60476003);天津市自然科学基金资助项目(10JCYBJC01600);天津市高等学校科技发展基金资助项目(20060902)
采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi...
关键词：SIC 稀磁半导体(DMS) CO掺杂 铁磁性 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部