肖本

作品数：8被引量：7H指数：1
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基于FPC应用的电磁屏蔽膜设计被引量：1
《电子世界》2016年第1期174-174,共1页肖本 杨文杰 
基于电磁屏蔽膜在FPC应用上日趋广泛,本文以片状银粉作为导电介质,以油墨作为绝缘体,以环氧树脂、固化剂等试剂混合为成膜剂设计出用于FPC软性电路版上的电磁屏蔽薄膜,本电磁薄膜屏蔽效能达到55d B,压合后厚度在15-21um,具有良好的制成...
关键词：FPC应用 电磁屏蔽膜 设计 
CMOS运算放大器失调电压消除设计被引量：4
《电子科技》2015年第2期139-142,共4页肖本 肖明 
基于直流对称偏置技术、版图的对称布局布线和先进的CMOS工艺技术。文中设计了一种低失调电压的高性能运算放大器。测试结果表明,在负载电容100 p F和电阻10 kΩ的情况下,最大失调电压<2 m V;开环增益为98 d B;单位增益带宽达到10.4 MHz...
关键词：对称偏置 运算放大器 失调 CMOS 
用于环路校准的延迟锁相环设计
《深圳信息职业技术学院学报》2015年第1期74-78,共5页陈勖 房丽娜 肖本 
深圳市科技计划项目(JCYJ20140418100633642)
延迟锁相环能够产生精确的延时而被广泛使用。本文介绍了一种适用于直接调制发射机锁相电路环路校准的延迟锁相环。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,参考频率为26 MHz。在3.3 V电源电压下的仿真结果显示:延迟锁相环锁定时间为520ns,...
关键词：锁相环 延迟锁相环 鉴相器 压控延迟线 
基于WCDMA接收机系统的低噪声放大器设计
《电子科技》2013年第12期60-62,共3页肖本 陈永聪 
介绍了低噪声放大器的基本工作原理,并对噪声源进行了分析。提出了采用先进的TSMC90 nm工艺,设计了一种基于WCDMA接收机系统的全差分拓扑共源共栅型低噪声放大器。该放大器片内集成了电感、电容,片外配置匹配网络。芯片测试结果表明:电...
关键词：噪声 放大器 WCDMA 
一种低压新型曲率补偿基准电压源设计
《电子科技》2013年第9期65-68,共4页肖本 冯宁 肖明 
要基于Chrt0.35μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I2PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20～120℃范围内,基准电压源平均温度系数<2×10-6/℃。该带隙基准...
关键词：带隙基准源 曲率校正 温度系数 I2PTAT 
基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器被引量：1
《电子器件》2006年第3期710-713,717,共5页肖本 吴玉广 
基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、3...
关键词：运算放大器 跨导Rail-to-Rail CMOS 
低压下5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计
《电子器件》2006年第3期766-769,共4页胡学忠 贾新章 肖本 
为了减小高精度Pipeline/ADC中基准源的温漂特性,从而保证系统的整体性能,通过对传统一阶温度补偿电路进行改进,采用二阶温度系数补偿,获得了低于5×10-6/℃温度系数的基准电压源。整个电路采用成熟先进的Chrt0.35μmCMOS工艺,使用Hspic...
关键词：带隙基准源 CMOS 温度补偿 10^-6/℃ 
5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计被引量：1
《电子科技》2006年第5期41-44,共4页宋志强 吴玉广 李冬林 肖本 
在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-40～115℃范围内,达到平均低于5×10-6/℃的温度系数。整个电路采用Chartered0.35μmCMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明...
关键词：带隙基准源 CMOS 温度系数 PTAT 温度补偿 
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