陈文斓

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供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
发文主题：MOCVD方法MOCVDNM发光二极管金属有机物化学气相淀积更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光电子．激光》更多>>
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用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管
《光电子．激光》2002年第7期682-684,共3页于永芹 黄柏标 周海龙 魏吉勇 潘教青 岳金顺 李树强 陈文斓 齐云 秦晓燕 张晓阳 王笃祥 任忠祥 
采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬...
关键词：发光二极管 LED 应变多量子阱 金属有机物化学气相淀积 MOCVD 倒装技术 
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