齐云

作品数：9被引量：23H指数：2
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发文主题：MOCVD发光二极管金属有机物化学气相淀积应变多量子阱LED更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《光电子．激光》《激光与光电子学进展》《量子电子学报》更多>>
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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响被引量：3
《量子电子学报》2003年第3期345-349,共5页于永芹 黄柏标 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效...
关键词：InGaAs/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷 
提高发光二极管(LED)外量子效率的途径被引量：18
《电子元件与材料》2003年第4期43-45,共3页齐云 戴英 李安意 
发光二极管的内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距,主要介绍了提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,包括生长分布布喇格反射层(DBR)技术,将射向衬底的光反射回表面;制作透明衬底(TS)取代原有的GaAs衬底;改变LED几何外形来缩...
关键词：分布布喇格反射层结构 透明衬底 倒金字塔形LED 表面粗化技术 
MOCVD生长InGaAs/Al_(0.2)Ga_(0.8)As应变多量子阱(英文)
《光电子．激光》2003年第3期244-247,260,共5页于永芹 黄柏标 尉吉勇 潘教青 周海龙 岳金顺 李树强 张晓阳 秦晓燕 陈文澜 齐云 王笃祥 任忠祥 
用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响。研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增...
关键词：InGaAs/Al0.2Ga0.8As 多量子阱 MQWs MOCVD In组分 
GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响被引量：2
《量子电子学报》2003年第1期125-128,共4页周海龙 黄柏标 潘教青 于永芹 尉吉勇 陈文澜 齐云 张晓阳 秦晓燕 任忠祥 李树强 
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度...
关键词：发光二极管 稳定性 厚度 砷化镓 GAAS MOCVD 薄膜 化学气相沉积法 
应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)
《光电子．激光》2002年第12期1226-1229,共4页尉吉勇 黄伯标 于永芹 周海龙 潘教青 张晓阳 秦晓燕 陈文兰 齐云 
生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条...
关键词：激光二级管 大功率 无Al有源层 MOCVD 
用MOCVD方法生长940 nm应变多量子阱发光二极管
《光电子．激光》2002年第7期682-684,共3页于永芹 黄柏标 周海龙 魏吉勇 潘教青 岳金顺 李树强 陈文斓 齐云 秦晓燕 张晓阳 王笃祥 任忠祥 
采用金属有机物化学气相淀积 (MOCVD)方法设计并生长了应变多量子阱 In Ga As/Al Ga As,并且对其进行了光致发光 (PL)谱、双晶 X射线衍射 (DXRD)谱和电化学 C- V等的测试。然后以 In Ga As/Al-Ga As作为有源层 ,以 Ga As衬底作为透明衬...
关键词：发光二极管 LED 应变多量子阱 金属有机物化学气相淀积 MOCVD 倒装技术 
可见光共振腔发光二极管的研究进展
《激光与光电子学进展》2002年第11期32-35,共4页陈文澜 黄柏标 齐云 于永芹 周海龙 尉吉勇 潘教青 
教育部青年骨干教师项目资助;基金编号No.Y6604032
共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。
关键词：发光二极管 共振腔 分布布拉格反射镜 光电器 发光特性 工作机理 
异常掺杂引起的AlGaInP同型结结构
《光电子．激光》2002年第6期578-580,共3页周海龙 黄柏标 于永芹 尉吉勇 潘教青 齐云 陈文澜 张晓阳 秦晓燕 任忠祥 李树强 
用电化学 C- V和 I- V特性分析的方法 ,对 Mg掺杂在 MOCVD生长 Al Ga In P发光二极管 (L ED)的影响进行了研究。通过电化学 C- V分析 ,确定了在生长结构中 Mg掺杂从有源层到 Ga P窗口层由高到低的情况 ;用 I- V特性分析的方法对器件结...
关键词：ALGAINP 发光二极管 掺杂 同型结 
利用双基色发光二极管研究白光发光二极管
《激光与光电子学进展》2002年第9期41-44,共4页齐云 黄柏标 陈文澜 于永琴 周海龙 
介绍了白光发光二极管作为照明光源的发展优势。详细阐述了利用双基色发光二极管制造白光发光二极管的发光原理,并讨论了制作过程,包括选择性腐蚀和Bonding技术的运用。最后对器件性能作出评价。
关键词：双基色发光二极管 白光发光二极管 选择性腐蚀 Bonding技术 
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