陈武佳

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Si损伤缺陷分析与解决方案
《半导体技术》2008年第9期791-792,共2页陈武佳 朱晨靓 程秀兰 
在半导体制造工艺流程中，浅沟道隔离（STI）工艺环节中的Si损伤一直是个困扰的问题。由于Si损伤的存在，造成5％－10％的良率损失，同时，严重影响产品的可靠性。分析了Si损伤缺陷的形成机理，并通过合理的实验设计和分析，给出了具体...
关键词：半导体制造 浅沟道隔离 湿法刻蚀 硅损伤 
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