叶邦角

作品数：69被引量：139H指数：6
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发文领域：理学核科学技术自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
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光引发交联聚乙烯的正电子湮没研究
《核技术》2006年第1期11-14,共4页程明福 叶邦角 马卫涛 张良平 韩荣典 翁惠民 
国家自然科学基金(No:10175061和10475072);与中国科学院重要方向性项目资助
用正电子湮没寿命谱研究了紫外光交联聚乙烯(PE)过程中交联度、结晶度的变化以及支化度的影响。常温下,在高能射线辐射交联PE中随着交联度的提高I3减少,但本实验中却观察到紫外光照交联PE中随着交联度的提高I3反而增加,变化的趋势等同...
关键词：正电子 电子偶素 聚乙烯 光交联 
慢正电子对ZnO中本征缺陷的研究被引量：1
《核技术》2005年第11期841-844,共4页彭成晓 翁惠民 杨晓杰 叶邦角 周先意 韩荣典 
国家自然科学基金项目(批准号10425072)资助
利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(VO,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系。结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同一种缺陷类型,O空位(VO)和Zn填隙(Zni)可能是材料中主要缺陷...
关键词：ZNO 缺陷 慢正电子 氧含量 
碳同素异形体的康普顿轮廓研究
《核技术》2005年第10期742-744,共3页张良平 叶邦角 陈祥磊 孔伟 程明福 翁惠民 杨保忠 
国家自然科学基金(项目编号:10475072;10175061)
本文介绍了用康普顿散射方法研究碳同素异形体的电子动量密度分布。实验中得到了碳不同结构材料的康普顿轮廓,发现由于晶体结构、成键方式的不同,它们的核外电子动量有着较显著的区别,纳米材料的表面效应表现明显。
关键词：康普顿轮廓 电子动量密度 表面效应 
NE213闪烁体的n-γ分辨被引量：1
《核技术》2003年第7期505-508,共4页叶邦角 Nanjyo H Kobayashi T Tsuno S Hasuko K 
NE213闪烁体广泛使用于探测快中子,但却伴随很高的g本底。本文使用快信号门与总信号门的两门积分方法,用快信号与总信号进行二维作图来分辨粒子。用252Cf 中子源和d+D核反应产生的单能中子研究了 f5"2"、f5"5"和f8"2"三种尺寸的NE213闪...
关键词：NE213闪烁体 n-γ鉴别 d+D核反应 
聚乙烯/碳黑复合导电材料的正电子谱学研究被引量：3
《核技术》2002年第8期585-590,共6页张宪锋 范扬眉 贾少晋 周先意 翁惠民 叶邦角 张志成 韩荣典 
国家自然科学基金 (19785 0 5 0 ;10 175 0 6 1)
在高密度聚乙烯 (HDPE)中掺入碳黑 (CB)可以显著提高其导电性能 ,而且碳黑含量的变化对导电性有很大影响。本文用正电子湮没技术研究了这种复合体系中自由体积随碳黑含量的变化规律 ,证实了碳黑颗粒处于非晶区的观点 。
关键词：聚乙烯 碳黑 正电子谱学 复合导电材料 自由体积 渗流效应 结晶度 渗流阈值 
用多路望远镜探测器测量中子带电粒子核反应实验中的事例判选
《核技术》2000年第4期259-263,共5页金革 叶邦角 范扬眉 虞孝麒 杨衍明 
介绍一个测量由中子引起的核反应的双微分截面实验的事例判选系统，由于反应截面非常小，而且本底相当大，为了最大程度地减少本底的影响，系统采用了二级硬件判选和一级软件判选。经过三级事例判选之后，可使本底计数降低４—５个数量级。
关键词：多路望远镜探测器 核反应 中子带电粒子 
用单能慢正电子束测量Si中的正电子迁移率
《核技术》2000年第4期209-212,共4页周先意 朱凯 叶邦角 张天昊 周永钊 杜江峰 张宪锋 韩荣典 
国家自然科学基金!19745002和19875050;教育部留学回国人员科研资助费;中国科学院院长基金
用单能慢正电子束流作为探针，测量了Ｐ型Ｓｉ中不同Ｂ杂质浓度的正电子湮没Ｓ参数和正电子能量的函数关系。在实验上系统地研究了正电子扩散长度和迁移率随半导体中杂质浓度的变化规律，观察到杂质的掺入不影响缺陷的开体积，但正电子...
关键词：正电子迁移率 杂质 慢正电子 P型硅半导体 
分子束外延生长硅薄膜缺陷性质的单能慢正电子束研究被引量：1
《核技术》2000年第2期69-73,共5页周先意 周先意 朱凯 张天昊 杜江峰 叶邦角 周永钊 韩荣典 
教育部留学回国人员科研资助费;国家自然科学基金!1974500;19875050;中国科学院院长基金
用慢正电子束流作为探针，测量了不同温度下用分子束外延生长的硅薄膜的正电子湮没Ｓ参数，讨论了外延层质量与生长温度及膜层厚度的关系，所得结论为：对于几百纳米厚的分子束外延生长层，５００℃左右是一个比较合适的生长温度范围。...
关键词：分子束外延硅 缺陷 无损检测 慢正电子束 硅薄膜 
中子核反应中反冲核的平均射程被引量：1
《核技术》1999年第12期720-724,共5页叶邦角 春日井好己 池田裕二郎 
中国科学院回国基金;中国科技大学回国基金
用活化法测量了快中子核反应中反冲核在靶中的平均射程，发现不同的核反应（ｎ，２ｎ），（ｎ，ｐ），（ｎ，ａ）和（ｎ，ｎｐ）中的反冲核的平均射程存在系统性规律，导出了经验公式。此外，把理论公式计算的结果同实验结果进行了比较...
关键词：中子溅射 反冲核 平均射程 中子核反应 核反应 
中子核反应截面测量中的厚靶技术
《核技术》1997年第4期215-218,共4页叶邦角 范扬眉 王忠民 韩荣典 虞孝麒 
中国科学技术大学青年基金;中国核工业总公司资助
在核反应截面测量实验中使用厚靶技术，对厚靶测量谱进行解谱，得到等效薄靶的结果。用该方法大大提高了事件的计数率，明显地减少了统计误差。
关键词：截面 厚靶 中子核反应 核反应截面测量 
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