孙静莹

作品数:4被引量:32H指数:3
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供职机构:北京工业大学更多>>
发文主题:可靠性热分析探测器测量方法半导体器件更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《半导体技术》《微电子学与计算机》《北京工业大学学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金:北京市优秀人才培养资助北京市自然科学基金更多>>
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ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究被引量:4
《北京工业大学学报》2007年第7期678-681,共4页冯士维 李瑛 孙静莹 谢雪松 杨集 张跃宗 卢毅成 
北京市优秀人才培养专项资费资助计划资助项目(67002013200302).
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积Al/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合...
关键词:氧化锌 单品薄膜 紫外光探测器 
InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量:3
《半导体技术》2006年第8期594-597,共4页杨集 冯士维 王承栋 张跃宗 李瑛 孙静莹 
北京市自然科学基金(No:4052009)
简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同...
关键词:探测器 增透膜 淀积 
集成电路芯片级的热分析方法被引量:7
《微电子学与计算机》2006年第7期86-89,共4页孙静莹 冯士维 李瑛 杨集 张跃宗 
文章在研究分析了集成电路中功耗的主要来源以及温度对集成电路性能的影响后,详细总结了近年来集成电路芯片级的几种热分析方法,并从实际应用角度对这几种方法进行了分析和比较,讨论了各个方法的优点及其适用范围。
关键词:集成电路 热分析 功耗 
半导体功率发光二极管温升和热阻的测量及研究被引量:18
《Journal of Semiconductors》2006年第2期350-353,共4页张跃宗 冯士维 谢雪松 李瑛 杨集 孙静莹 吕长志 
通过电学测量方法得到了半导体功率发光二极管温升与热阻的加热响应曲线.曲线出现一个或多个台阶,反映了其内部的热阻构成与器件物理结构.同时采用遮光法对器件温升及热阻进行了修正.还应用瞬态加热响应原理对功率管的封装结构进行了监测.
关键词:温升 热阻 工作寿命 可靠性 发光效率 
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