朱大鹏

作品数：5被引量：8H指数：2
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供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：薄膜电阻方块电阻反应溅射铝阳极氧化电阻温度系数更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《电子元件与材料》《功能材料与器件学报》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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铝阳极氧化基板制备过程对埋置型Ta-N薄膜电阻的影响
《Journal of Semiconductors》2008年第4期774-779,共6页朱大鹏 罗乐 
在铝阳极氧化多层基板内用RF反应溅射制备了埋置型Ta-N薄膜电阻,研究了铝阳极氧化过程对Ta-N薄膜电阻和显微结构的影响.实验结果表明:Ta-N薄膜受上层多孔氧化铝膜影响在表层形成了由Ta2O5和Ta-O-N组成的氧化物凸起绝缘层,氧化物凸起层...
关键词：阳极氧化 Ta-N薄膜电阻 电学性能 显微结构 
微尺寸SnAg凸点的制备技术及其互连可靠性被引量：5
《Journal of Semiconductors》2008年第1期168-173,共6页林小芹 朱大鹏 罗乐 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60676061)~~
用电镀法制备了尺寸小于100μm的面阵列Sn-3.0Ag凸点.芯片内凸点的高度一致性约1.42%,Φ100mm硅圆片内的高度一致性约3.57%,Ag元素在凸点中分布均匀.研究了不同回流次数下SnAg/Cu的界面反应和孔洞形成机理,及其对凸点连接可靠性的影响....
关键词：SNAG 凸点 金属间化合物 孔洞 可靠性 多次回流 
多孔型氧化铝薄膜在高密度封装中的应用及性能
《功能材料与器件学报》2007年第6期619-624,共6页朱大鹏 王立春 罗乐 
利用铝阳极氧化方法对微晶玻璃基板上的多层铝膜进行选择性氧化,制备了4层布线的高密度MCM-D基板,对氧化得到的多孔型氧化铝介质膜的绝缘及介电性能进行了研究。实验结果表明:多层布线铝与氧化铝结合性好,层间和同层多孔氧化铝绝缘电阻...
关键词：多孔型氧化铝膜 高密度封装 绝缘性能 
圆片级气密封装及通孔垂直互连研究被引量：3
《功能材料与器件学报》2006年第6期469-473,共5页王玉传 朱大鹏 许薇 罗乐 
提出了一种新颖的圆片级气密封装结构。其中芯片互连采用了通孔垂直互连技术:KOH腐蚀和DR IE相结合的薄硅晶片通孔刻蚀技术、由下向上铜电镀的通孔金属化技术、纯Sn焊料气密键合和凸点制备相结合的通孔互连技术。整个工艺过程与IC工艺...
关键词：圆片级气密封装 通孔垂直互连 电镀 
化学镀Ni-P在纯锡凸点的应用及界面研究
《电子元件与材料》2006年第11期40-43,共4页朱大鹏 王立春 胡永达 罗乐 
采用化学镀Ni-P作UBM阻挡层,利用电镀的方法制备了面阵列和周边排布的无铅纯锡凸点,凸点高度为85±2μm,一致性良好。研究了不同回流温度下纯锡焊球的剪切强度、断裂模式和与Ni-P层反应生成的金属间化合物。结果表明,纯锡凸点回流时与N...
关键词：半导体技术 化学镀NI-P 纯锡凸点 高温回流 Ni3sn4金属间化合物 
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