沈向前

作品数：6被引量：19H指数：3
导出分析报告
供职机构：贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所更多>>
发文主题：磁控溅射磁控计算机模拟掺杂光学性质更多>>
发文领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《真空》《材料热处理学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目贵州省科技攻关计划贵州省自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4
《功能材料》2013年第4期585-589,共5页肖清泉 谢泉 沈向前 张晋敏 陈茜 
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004);贵阳市科技计划资助项目(筑科合同[2012101]2-16);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字[2010]032);贵州大学引进人才科研资助项目(单一相Mg2Si半导体薄膜的制备技术及其光学;电学性质研究[2012]);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2011]2323);贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字[2012]152)
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)...
关键词：半导体薄膜 MG2SI 磁控溅射 热处理 表征 
K掺杂正交相Ca_2Si电子结构和光学性质的第一性原理计算被引量：5
《材料热处理学报》2012年第9期155-160,共6页丰云 谢泉 高冉 沈向前 王永远 陈茜 
国家自然科学基金(60766002);科技部合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字(2011)3015);贵州大学引进人才科研项目(贵大人基合字20101032号)
采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似(GGA),对K掺杂正交相Ca2Si前后的电子结构和光学性质进行比较分析。计算表明,掺K后正交相Ca2Si的能带向高能方向发生了偏移,形成直接带隙的p型半导体,禁带宽度为0.4318 eV,光学带隙变宽;掺...
关键词：Ca2Si 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 
磁控溅射辉光放电特性的模拟研究
《物理学报》2012年第16期316-321,共6页沈向前 谢泉 肖清泉 陈茜 丰云 
国家自然科学基金(批准号:60766002);科技部国际合作专项基金(批准号:2008DFA52210);贵州省科技攻关项目(批准号:黔科合GY字[2011]13015);贵州省科技创新人才团队建设专项基金(批准号:黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作项目(批准号:黔科合外G字[2012]7004;黔科合外G字[2009]700113)资助的课题~~
采用二维、自洽的PIC/MCC(particle-in-cell with Monte Carlo collision)方法,模拟了磁控溅射辉光放电过程,重点讨论了工作参数对放电模式和放电电流的影响.模拟结果表明,当工作气压由小到大或空间磁场从强到弱变化时,放电模式会从阴...
关键词：磁控溅射 辉光放电 计算机模拟 状态分布 
K掺杂立方相Ca2Si电子结构及光学性能的研究被引量：5
《纳米科技》2012年第1期1-6,共6页丰云 谢泉 高冉 王永远 沈向前 陈茜 
国家自然科学基金项目（60566001 60766002）; 贵州大学引进人才科研项目（贵大人基合字（20101032号）;贵州大学研究生创新基金项目（校研理工2011001）
基于第一性原理的密度泛函理论赝势平面波方法,采用广义梯度近似（GGA）对掺K的立方相Ca2Si的电子结构和光学性能,包括能带结构、态密度、介电函数、折射率、反射率、吸收系数、光电导率及能量损失函数进行理论计算,结果表明,掺K后立方...
关键词：Ca2Si 掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理 
磁控溅射靶材刻蚀特性的模拟研究被引量：9
《真空》2012年第1期65-69,共5页沈向前 谢泉 肖清泉 丰云 
国家自然科学基金(60566001;60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省信息产业厅项目(0831)资助项目
靶材刻蚀特性是研究磁控溅射靶材利用率、薄膜生长速度和薄膜质量的关键因素。本文用有限元分析软件ANSYS模拟了磁控溅射放电空间的磁场分布,用粒子模拟软件OOPIC Pro(object oriented particlein cell)模拟了放电过程,最后用SRIM(stopp...
关键词：磁控溅射 靶材刻蚀 计算机模拟 状态分布 
磁控过程的计算机模拟
《真空》2011年第3期49-54,共6页沈向前 谢泉 肖清泉 余志强 
国家自然科学基金(60566001;60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省信息产业厅项目(0831)资助项目
本文基于蒙特卡罗方法,并结合SRIM软件,编制程序跟踪模拟了磁控溅射各物理过程的粒子状态。以铝靶材为例,得到了粒子在磁控溅射各物理过程的状态分布,讨论了工作参数对薄膜沉积过程的影响。模拟结果表明:溅射原子的能量主要分布在20 eV...
关键词：磁控溅射 蒙特卡罗方法 计算机模拟 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部