王立苗

作品数:4被引量:12H指数:2
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发文领域:理学更多>>
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Cu单晶的生长与温场研究被引量:2
《人工晶体学报》2009年第4期836-839,共4页肖怀安 朱世富 赵北君 唐世红 王立苗 周义博 易希昱 
Cu单晶在中子单色器、激光核聚变和音频信号传输等方面有着广泛的应用前景。根据对Cu晶体的差热分析结果,设计并制作了硅钼棒加热单晶生长炉,获得了适合Cu单晶体生长的温场。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、表面光滑、尺...
关键词:铜单晶 温场研究 差热分析 晶体生长 性能表征 
垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究被引量:3
《人工晶体学报》2009年第1期44-47,共4页王立苗 赵北君 朱世富 唐世红 何知宇 肖怀安 
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景。本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体。生长的晶体经...
关键词: 单晶生长 垂直布里奇曼法 蚀坑观察 
气相生长硒化镉单晶体的生长速度研究被引量:1
《功能材料》2007年第A10期4044-4046,共3页何知宇 赵北君 朱世富 任锐 温才 叶林森 钟雨航 王立苗 杨慧光 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2202AA325030)
以晶体生长理论为基础,计算了气相提拉生长CdSe晶体时的生长速率。结果表明用提拉法气相生长CdSe晶体时,晶体的气相生长速率将会随着时间的延长以指数关系快速的趋近于提拉速度,以后不再变化。由此,在选定温场的前提下,对CdSe单晶...
关键词:CDSE 晶体生长 气相提拉 平界面 生长速度 
CdSe晶片的红外透过率研究被引量:8
《人工晶体学报》2007年第6期1211-1214,共4页何知宇 赵北君 朱世富 叶林森 钟雨航 王立苗 杨慧光 曾体贤 
国家863计划(No.2202AA325030)
将经过多级提纯、垂直无籽晶气相输运法生长的CdSe晶锭切割,获得沿生长轴向分布的1.3mm厚晶片系列,采用日本SH IMAZU公司的IRpresting-21傅立叶变换红外光谱仪、ZC36型高阻仪及X射线能谱仪对该晶片组的红外透过率、电阻率、成份百分含...
关键词:探测器材料 CdSe单晶体 红外光谱 吸收机制 
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