方绍华

作品数：2被引量：26H指数：2
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供职机构：浙江大学信息与电子工程学系更多>>
发文主题：VDMOS功率半桥驱动器高压功率器件驱动电路更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电力电子技术》《电子器件》更多>>
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高压功率VDMOS管的设计研制被引量：17
《电子器件》2006年第1期5-8,共4页王英 何杞鑫 方绍华 
随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于...
关键词：VDMOS 优化外延层 终端保护技术 
半桥驱动器中高压电平位移电路的研究被引量：9
《电力电子技术》2005年第1期109-111,共3页艾俊华 何杞鑫 方绍华 
通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关,提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真,达到了600V以上的耐压要求。最后用Hspice对电路进...
关键词：驱动电路 半桥驱动器 电平位移 高压功率器件 
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