蒋四南

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：砷化镓GAASX射线SI单晶单晶生长更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
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在微重力下生长的GaAs：Si单晶结构缺陷的X射线研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1995年第3期167-169,共3页蒋四南 林兰英 
本文对空间生长ＧａＡＳ：Ｓｉ单晶，沿着生长方向用Ｘ射线形貌和双晶衍射方法进行了研究，Ｘ射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区．双晶衍射表明，在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高．
关键词：砷化镓:硅 单晶生长 结构缺陷 X射线 微重力 半导体材料 
黄昆X射线漫散射的实验研究
《Journal of Semiconductors》1992年第2期75-83,共9页蒋四南 
本文描述了黄昆X射线漫散射的实验方法及其所需的实验条件,并利用它研究了离子注入CaAs中点缺陷所引起的黄昆散射,在同一GaAs晶片上的不同部分分别注入Mo和Er,浓度均为1×10^(15)cm^(-2),注入电压为500keV,经850℃退火30分钟后分别在77...
关键词：黄昆X射线 半导体晶体 漫散射 实验 
太空生长掺Te-GaAs单晶的结构缺陷观测
《Journal of Semiconductors》1989年第1期76-84,共9页蒋四南 范缇文 李成基 林兰英 
本文用X射线、电子显微镜和电子束阴极荧光方法,对在太空中生长的掺Te-GaAs单晶材料的结构完整性进行了实验研究.在地面生长的掺Te-GaAs有明显的杂质条纹,而在太空生长的晶体杂质条纹消失;在太空和地面生长的交界处于空间材料一侧的中...
关键词：GAAS 太空生长 位错 微缺陷 
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