邹修庆

作品数:2被引量:1H指数:1
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适合于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术及其应用
《微电子学与计算机》1995年第2期48-50,共3页龚裕才 邹修庆 
本文介绍了将我们开发的硅片粘合技术与传统V形槽隔离工艺相结合而研制成功的一种新的介质隔离方法。文中指出了传统V形槽介质隔离方法的不足,给出了新的介质隔离方法的工艺路线,介绍了该方法在抗辐照集成稳压器中的应用。
关键词:介质隔离 集成电路  硅片粘合 绝缘体 
用于高压器件的实用硅-硅键合技术被引量:1
《微电子学》1994年第3期10-12,共3页刘学如 胡泽 邹修庆 
本文对硅-硅键合中的关键因素进行了讨论,指出有效的键合必须以良好的原始片平整度、有效的清洗和预键合以及充分的退火处理为基础。在应用方面,对于电阻率为17Ω·cm的有源层,得到了耐压大于400V的VDMOS器件。
关键词:硅-硅键合 高压器件 VDMOS 
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