刘学如

作品数：4被引量：6H指数：2
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供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
发文主题：键合MCM封装材料混合电路导电胶更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
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混合电路用导电胶及其体电阻率的测试被引量：3
《微电子学》2003年第4期298-300,305,共4页邢宗锋 刘学如 肖玲 
　介绍了MCM混合电路用导电胶的组成及其工艺特点,对两种测试导电胶体电阻率的方法进行了探讨,并对其优缺点进行了比较。此外,还简要介绍了混合电路用导电胶的发展动向。
关键词：混合电路 导电胶 体电阻率 测试 MCM 封装材料 
外延片夹层电压数学模型推导
《微电子学》1996年第5期301-304,共4页刘学如 李晓红 
讨论了外延片的外延层电阻率、衬底电阻率、探针接触电阻、外延层纵向电阻与夹层电压之间的关系，推导了一种全新的二探针法测量外延片夹层电压的数学公式。
关键词：半导体材料 外延片 数学模型 硅片表征 
硅外延层电阻率测量值一致性研究被引量：2
《微电子学》1996年第3期198-200,共3页刘学如 
外延层电阻车是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率，以满足器件研制的需要，是检测人员所关注的一个重要课题。对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较，指出了其各自的优缺点，讨论了测量中存在的问题．...
关键词：半导体器件 外延硅片 硅外延工艺 外延层电阻率 
用于高压器件的实用硅－硅键合技术被引量：1
《微电子学》1994年第3期10-12,共3页刘学如 胡泽 邹修庆 
本文对硅－硅键合中的关键因素进行了讨论，指出有效的键合必须以良好的原始片平整度、有效的清洗和预键合以及充分的退火处理为基础。在应用方面，对于电阻率为１７Ω·ｃｍ的有源层，得到了耐压大于４００Ｖ的ＶＤＭＯＳ器件。
关键词：硅-硅键合 高压器件 VDMOS 
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