高文涛

作品数：3被引量：10H指数：2
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供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文主题：机械泵化学气相淀积多晶硅薄膜晶体管离子注入机电控制器更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《液晶与显示》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金更多>>
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驱动AM-OLED的2-a-Si∶H TFT的设计与制作被引量：4
《液晶与显示》2006年第6期660-667,共8页刘金娥 廖燕平 齐小薇 高文涛 荆海 付国柱 李世伟 邵喜斌 
国家"863"计划资助项目(No.2004AA303560)
a-Si∶H/SiNx∶HTFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅...
关键词：OLED 阈值电压漂移 N/Si C-V 2-a-Si:H TFT 
用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜及结构分析被引量：3
《液晶与显示》2006年第6期668-673,共6页张玉 高博 李世伟 付国柱 高文涛 荆海 
国家自然科学基金资助项目(No.60576056)
以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR...
关键词：多晶硅薄膜 催化化学气相沉积 沉积参数 逐层分析 分步成核 
氢原子在Cat-CVD法制备多晶硅薄膜中的作用被引量：4
《液晶与显示》2004年第6期450-454,共5页邝俊峰 付国柱 高博 高文涛 黄金英 廖燕平 荆海 
国家"863"计划资助项目(No.2002AA303250);吉林省科技发展计划项目(No.20010305)
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat CVD)方法制备多晶硅(p Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响。XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增...
关键词：多晶硅薄膜 氢原子 催化化学气相沉积 
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