任国强

作品数：6被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：液相外延生长液相外延单晶助熔剂法热法更多>>
发文领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
发文期刊：《电力电子技术》《人工晶体学报》更多>>
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氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究
《人工晶体学报》2024年第3期480-486,共7页夏政辉 李腾坤 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 
国家重点研发计划(2021YFB3602000,2022YFB3605202);国家自然科学基金(62074157,62104246);江苏省重点研发计划(BE2021008)。
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用...
关键词：氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑 
掺杂对GaN晶体力学性能影响的研究
《人工晶体学报》2023年第2期229-234,共6页王海笑 李腾坤 夏政辉 陈科蓓 张育民 王鲁华 高晓东 任国强 徐科 
国家重点研发计划(2022YFB3605202,2021YFB3602000);江苏省重点研发计划(BE2021008);国家自然科学基金(62074157,62104246);中科院关键技术人才计划(2021000052)。
对GaN单晶力学性能的研究有助于解决其在生长、加工和器件应用中的开裂问题。本文围绕掺杂对GaN单晶力学性能的影响,通过纳米压痕法测试了不同掺杂类型(非掺、Si掺和Fe掺)GaN单晶的弹性模量和硬度,测试结果表明掺杂对GaN单晶的硬度有重...
关键词：GaN单晶 弹性模量 硬度 纳米压痕 氨热法 掺杂 
氮化镓单晶的液相生长被引量：1
《人工晶体学报》2020年第11期2024-2037,共14页任国强 刘宗亮 李腾坤 徐科 
国家自然科学基金(61574162,61604169);国家重点研发计划(2017YFB0404100)。
氮化镓(GaN)具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优良特性,是制作宽波谱、高功率、高效率光电子、电力电子和微电子的理想衬底材料。除气相法(包括HVPE(氢化物气相外延)、MOCVD(金属有机化合物化学...
关键词：氮化镓单晶 液相法 氨热法 助熔剂法 
氮化镓籽晶的表面损伤处理及氨热生长研究被引量：1
《人工晶体学报》2020年第7期1157-1161,1207,共6页姚晶晶 任国强 李腾坤 苏旭军 邱永鑫 许磊 高晓冬 徐科 
国家自然科学基金(61574162,61604169)。
籽晶的表面损伤会导致后续生长的晶体位错增多。为了降低籽晶表面的损伤,通常采用粗磨-精磨-抛光的多步过程处理的晶片作为籽晶,工艺步骤多、复杂,成本高。本文采用磷酸去除表面损伤层的粗磨GaN与化学机械抛光的GaN分别作为籽晶,对比了...
关键词：氮化镓 氨热法 籽晶表面处理 化学机械抛光 
GaN体单晶的氨热生长及应力调控被引量：1
《人工晶体学报》2019年第9期1599-1603,共5页燕子翔 李腾坤 苏旭军 高晓冬 任国强 徐科 
国家自然科学基金(61574162,61604169)
采用氨热法在碱性条件下生长了GaN体单晶,SEM照片显示晶体表面有大量裂纹。用拉曼光谱测量GaN晶体的E2(high)声子拉曼峰,结果表明晶体内部应力波动较大。通过减小温度梯度、籽晶优选及降温程序优化后,得到了无裂纹的氮化镓晶体,(002)和(...
关键词：GaN晶体 氨热法 应力调控 
氮化镓体单晶生长的进展
《电力电子技术》2017年第8期53-57,共5页王建峰 任国强 徐科 
国家自然科学基金(61325022;11435010)~~
主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法。首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离和掺杂等。比较了3种方法的生长机制。其次,通过纳...
关键词：氮化镓 单晶 氢化物气相外延 
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