张洪亮

作品数：7被引量：7H指数：2
导出分析报告
供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文主题：薄膜晶体管晶体硅电致变色器件电致变色二氧化硅薄膜更多>>
发文领域：电子电信化学工程一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金宁波市自然科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-7
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CuS/ZnS/ITO透明忆阻器的制备及其突触性能
《材料科学与工程学报》2021年第1期30-34,共5页陈炜东 骆军 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 张莉 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(61674156,61874125,51702336);浙江省自然科学基金资助项目(LD19E020001);宁波市自然科学基金资助项目(2018A610019)。
忆阻器突触可用于构建神经形态系统,进行类脑计算,而透明突触器件则有利于光电协同调控。本研究首次采用CuS薄膜作为电极,构筑了CuS/ZnS/ITO透明忆阻器,器件表现出稳定的忆阻性能与良好的均一性,在可见光范围内透过率高达82%。通过与Cu...
关键词：忆阻器 透明 突触 CUS 
溶液法制备全碳忆阻器被引量：2
《材料科学与工程学报》2020年第1期64-67,共4页竺臻楠 胡令祥 俞家欢 张洪亮 梁凌燕 张莉 曹鸿涛 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(61474127,61674156,51702336)
采用溶液法制备出石墨烯/氧化石墨烯/石墨烯(G/GO/G)全碳忆阻器,并且探究了Ar气氛环境下退火温度对石墨烯电极的影响。研究结果表明,退火处理可以在一定程度上改善石墨烯电极的电学性能。利用优化后的石墨烯电极构筑的G/GO/G全碳忆阻器...
关键词：忆阻器 氧化石墨烯 退火处理 石墨烯电极 
低温制备N-Fe共掺杂TiO_2-SiO_2可见光催化复合薄膜被引量：2
《材料科学与工程学报》2018年第6期921-926,共6页卜彦强 马德伟 宋琨 曹鸿涛 吴爱国 王立平 陈亮 金亦君 徐裕 张莉 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51702336和61674156);浙江省自然科学基金资助项目(LR15F040002)
采用溶胶-凝胶结合低温(<100℃)热水后处理法,在塑料衬底上制得N-Fe共掺杂锐钛矿TiO_2-SiO_2复合薄膜。采用多种技术手段对薄膜样品进行了表征,并考察了薄膜样品在可见光下对罗丹明B的降解能力。研究结果表明,有机衬底上形成了锐钛矿Ti...
关键词：锐钛矿TIO2 TiO2-SiO2复合薄膜 低温热水处理 可见光光催化 
ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为被引量：3
《材料科学与工程学报》2018年第5期726-729,857,共5页王洋 焦雷 赵飞文 李惠 郑秀 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(61474127和61674156);江苏省产学研前瞻性联合研究资助项目(BY2015064-04)
Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可...
关键词：忆阻器 自整流 神经突触器件 ZNO 
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量：1
《材料科学与工程学报》2017年第4期592-595,共4页李久朋 马德伟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261,61474127)
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工...
关键词：忆阻器 ZNO纳米线 一步掩膜法 电致阻变 
基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件被引量：4
《材料科学与工程学报》2017年第2期232-236,共5页潘若冰 胡丽娟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261和61474127)
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时...
关键词：忆阻器 神经突触器件 人工神经网络 ZNO 
磷酸处理对多孔SiO_2薄膜质子导电特性和双电层薄膜晶体管性能的影响
《无机材料学报》2014年第5期482-486,共5页万相 刘阳辉 张洪亮 
国家自然科学基金(51302276;51102187);浙江省博士后择优项目(BSH1302050)~~
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了多孔SiO2薄膜,系统地研究了不同浓度磷酸处理对多孔SiO2薄膜的质子导电特性、双电层电容和以此多孔SiO2薄膜为栅介质的铟锌氧(IZO)双电层薄膜晶体管性能的影响。结果表明:多孔SiO2薄膜的质...
关键词：双电层 薄膜晶体管 磷酸处理 多孔SIO2 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部