李俊

作品数：3被引量：4H指数：1
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供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文主题：电子器件神经突触突触ZNO仿生更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金中国科学院战略性先导科技专项浙江省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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具有短程抑制特性的超低功耗全碳质子突触器件
《材料科学与工程学报》2022年第3期396-405,483,共11页徐慧文 竺臻楠 胡令祥 李俊 俞家欢 卢焕明 张莉 王敬蕊 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(61674156,61874125,51702336);中国科学院战略性先导科技专项资助项目(XDB32050204);浙江省自然科学基金资助项目(LD19E020001);宁波市自然科学基金资助项目(2018A610019);复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室开放课题资助项目(2018KF002)。
短程突触可塑性保证了对神经形态计算系统中神经信息处理和短程记忆的动态调节。短程易化特性(STF)在多种人工突触器件中被广泛报道,与之相比短程抑制特性(STD)的研究则进展缓慢,仅有为数不多的器件表现出STD特性,并且其单个刺激下的功...
关键词：人工突触 氧化石墨烯 全碳 超低功耗 短程抑制 
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量：1
《材料科学与工程学报》2017年第4期592-595,共4页李久朋 马德伟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261,61474127)
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工...
关键词：忆阻器 ZNO纳米线 一步掩膜法 电致阻变 
基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件被引量：4
《材料科学与工程学报》2017年第2期232-236,共5页潘若冰 胡丽娟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261和61474127)
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时...
关键词：忆阻器 神经突触器件 人工神经网络 ZNO 
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