高俊华

作品数：5被引量：11H指数：3
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供职机构：中国科学院宁波材料技术与工程研究所宁波材料技术与工程研究所更多>>
发文主题：金属纳米线陶瓷薄膜陶瓷磁控共溅射金属更多>>
发文领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程电子电信更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省自然科学基金更多>>
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低温制备N-Fe共掺杂TiO_2-SiO_2可见光催化复合薄膜被引量：2
《材料科学与工程学报》2018年第6期921-926,共6页卜彦强 马德伟 宋琨 曹鸿涛 吴爱国 王立平 陈亮 金亦君 徐裕 张莉 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51702336和61674156);浙江省自然科学基金资助项目(LR15F040002)
采用溶胶-凝胶结合低温(<100℃)热水后处理法,在塑料衬底上制得N-Fe共掺杂锐钛矿TiO_2-SiO_2复合薄膜。采用多种技术手段对薄膜样品进行了表征,并考察了薄膜样品在可见光下对罗丹明B的降解能力。研究结果表明,有机衬底上形成了锐钛矿Ti...
关键词：锐钛矿TIO2 TiO2-SiO2复合薄膜 低温热水处理 可见光光催化 
ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为被引量：3
《材料科学与工程学报》2018年第5期726-729,857,共5页王洋 焦雷 赵飞文 李惠 郑秀 曹鸿涛 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(61474127和61674156);江苏省产学研前瞻性联合研究资助项目(BY2015064-04)
Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可...
关键词：忆阻器 自整流 神经突触器件 ZNO 
一步掩膜法制备ZnO纳米线忆阻器被引量：1
《材料科学与工程学报》2017年第4期592-595,共4页李久朋 马德伟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261,61474127)
本文基于单根ZnO纳米线(NW),采用一步掩膜的方法制备了Au/ZnO NW/Au忆阻器。器件表现出无极性忆阻行为,开关比可达10~5以上。低阻态具有半导体导电特性,推测忆阻行为可能来源于ZnO NW表面氧空位形成的不连续导电丝的通断。一步掩膜法工...
关键词：忆阻器 ZNO纳米线 一步掩膜法 电致阻变 
基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件被引量：4
《材料科学与工程学报》2017年第2期232-236,共5页潘若冰 胡丽娟 曹鸿涛 竺立强 李俊 李康 梁凌燕 张洪亮 高俊华 诸葛飞 
国家自然科学基金资助项目(51272261和61474127)
本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能。ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为。在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时...
关键词：忆阻器 神经突触器件 人工神经网络 ZNO 
氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响被引量：6
《材料科学与工程学报》2014年第6期922-924,共3页伏兵 诸葛飞 刘志敏 罗浩 梁凌燕 高俊华 曹鸿涛 
国家自然科学基金资助项目(51272261和61274095)
本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度。以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应。本文研究表明,氩等...
关键词：阻变 ZNO薄膜 氩等离子体处理 
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