李萌萌

作品数：4被引量：12H指数：2
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供职机构：深圳大学更多>>
发文主题：氮化铝升华P型ALN半导体材料更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《人工晶体学报》《深圳大学学报（理工版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划深圳市科技计划项目更多>>
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升华法生长氮化铝晶体的热场分析被引量：2
《人工晶体学报》2013年第11期2275-2279,共5页武红磊 郑瑞生 李萌萌 闫征 郑伟 徐百胜 
国家自然科学基金重点项目(61136001);973计划前期研究专项(2010CB635115);深圳市科技计划项目(20120821110533437)
本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响。结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小;原料与结晶体之间的距离仅对温...
关键词：升华 温度场 氮化铝晶体 有限元 
碳硅共掺杂p型AlN的光电性能研究被引量：1
《发光学报》2013年第9期1199-1202,共4页武红磊 郑瑞生 李萌萌 闫征 郑伟 
国家自然科学基金重点项目(61136001);国家"973"前期研究专项(2010CB635115)资助项目
在SiC衬底上生长了碳硅共掺杂p型AlN晶体,通过X射线衍射、X射线光电子能谱(XPS)、光致发光(PL)光谱、霍尔测试对碳硅共掺杂p型AlN晶体的结构、光学及电学性能进行了综合研究。通过XPS测试分析(尤其是对样品中Si 2p和C 1s的XPS谱分析)发...
关键词：光致发光 掺杂 p型导电 半导体材料 ALN 
温度场分布对氮化铝晶体生长习性的影响被引量：5
《深圳大学学报（理工版）》2012年第6期487-491,共5页武红磊 郑瑞生 闫征 李萌萌 郑伟 
国家自然科学基金重点资助项目(61136001);国家重点基础研究发展计划资助项目(2010CB635115)~~
研究升华法制备氮化铝晶体过程中,生长区域温度场分布对晶体生长习性的影响.结果表明,当升华区与结晶区之间的温差较大时,氮化铝晶体的生长方向为c轴方向,显露面为c面;反之,温差较小时,氮化铝晶体的生长方向为与c轴垂直的a轴方向,显露面...
关键词：半导体材料 氮化铝 升华法 非极化 温度场 晶体生长 
升华法制备m面非极性AlN单晶体的研究被引量：5
《人工晶体学报》2012年第6期1534-1537,共4页武红磊 郑瑞生 李萌萌 闫征 
国家自然科学基金重点项目(No.61136001);973前期研究专项(No.2010CB635115)
AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能。生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径。本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m...
关键词：升华 非极化 AlN晶体 m面 
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