杜正伟

作品数：43被引量：169H指数：8
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发文领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>
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频率对PIN限幅器微波脉冲热损毁效应的影响被引量：3
《电波科学学报》2019年第4期479-484,共6页易世鹏 杜正伟 赵景涛 赵刚 
国家自然科学基金(No.61371010)
采用数值仿真和理论分析相结合的方法研究了频率对PIN(positive-intrinsic-negative)限幅器微波脉冲热损毁效应的影响.研究发现,在相同脉冲宽度情况下,PIN限幅器微波脉冲热损毁功率阈值随频率的升高而降低,由于在一定功率下虽然频率与...
关键词：PIN限幅器 频率 微波脉冲 热损毁效应 功率阈值 
应用于5G移动终端的宽带八天线系统
《移动通信》2019年第2期65-67,共3页黄代炜 杜正伟 
国家自然科学基金(61771277)
主要介绍了应用于5G移动终端的宽带八天线系统,该天线系统主要由两种天线单元构成,分别分布在地板的上方和侧边,第一种和第二种天线单元具有正交性,从而实现了宽带的解耦效果。八个天线单元,在阻抗带宽小于-6 dB的前提下,都可以覆盖3.3 ...
关键词：5G 八天线系统 宽带 移动终端 
一种用于手持移动终端的九频段双天线系统
《电波科学学报》2015年第5期827-833,共7页王尚 杜正伟 
北京市自然科学基金(4152025);广东省科技计划项目(2013B010401025)
提出了一种应用于手持移动终端的九频段双天线系统.该双天线系统由两个对称的天线单元、一个解耦地枝和一个浮置结构组成.构成天线单元的驱动分枝和寄生地枝共同激励起多个谐振模式.通过采用解耦地枝,降低了低频带内的互耦,改善了高频...
关键词：多输入多输出系统 多频段天线 解耦 手持移动终端 
重频超宽带脉冲干扰低噪声放大器被引量：3
《强激光与粒子束》2015年第8期119-123,共5页杨猛 宁辉 张永栋 杜正伟 
国家高技术发展计划项目
理论分析和仿真研究了重频超宽带脉冲对低噪声放大器（LNA）的干扰特征,给出了高斯脉冲幅度、脉宽及重频等参数对LNA干扰效果的规律,对工作于40~80MHz频段的接收机LNA开展了相关验证实验。结果表明：干扰特征主要由LNA工作频带和脉冲参...
关键词：超宽带脉冲 低噪声放大器 干扰 脉冲参数 
一种用于笔记本电脑的双频段八天线系统被引量：1
《电波科学学报》2015年第4期710-717,共8页郭琳 王岩 杜正伟 高攸纲 石丹 
国家科技重大专项(2012ZX03003002-002);北京市自然科学基金(4152025);广东省科技计划项目(2013B010401025)
提出了一种应用于笔记本电脑的双频段八天线系统.该八天线系统由一个四天线系统、两个双天线系统和两个T形谐振带构成.在分析了四天线系统和两个双天线系统的耦合机理后,提出了减小耦合的方法.实测结果表明:天线样品在2.4-GHz无线局域网...
关键词：八天线 四天线 双天线 低互耦 笔记本电脑 
一种用于手持移动终端的九频段平面印制天线被引量：4
《电波科学学报》2015年第1期43-48,共6页王尚 杜正伟 
国家科技重大专项(2012ZX03003002-004);国家自然科学基金(61371010;60971005);项目(9140A33020411JW27)
提出了一种应用于手持移动终端的九频段平面印制天线,该天线结构紧凑,尺寸为20mm×28mm×0.8mm.利用弯折单极子、寄生地枝和耦合分枝激励起了五个谐振模式,并通过三个调节片和位于馈电点附近的阶梯形过渡结构改善了各个谐振模式的阻抗匹...
关键词：多频段天线 手持移动终端 印制天线 长期演进(LTE) 
脉冲宽度对核电磁脉冲烧毁RS触发器效应的影响被引量：5
《强激光与粒子束》2014年第5期216-221,共6页米国浩 杜正伟 曹雷团 吴强 陈曦 
国家自然科学基金项目(61371010);国家科技重大专项(2012ZX03003002-004)
利用实验室自主开发的二维半导体器件-电路联合仿真器对RS触发器在核电磁脉冲注入下的烧毁情况进行研究,发现烧毁发生在RS触发器内n沟道增强型MOSFET栅极和漏极之间的沟道内。RS触发器烧毁的功率阈值随着脉冲宽度的增加而降低,当脉冲宽...
关键词：核电磁脉冲 脉冲宽度 RS触发器 器件物理仿真 烧毁 
CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的脉冲宽度效应理论模型被引量：4
《强激光与粒子束》2013年第5期1200-1204,共5页陈杰 杜正伟 
国家高技术发展计划项目
从基本半导体物理出发,通过求解载流子连续性方程,建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度关系的解析理论模型。通过与仿真结果以及文献中实验数据的对比,验证了该理论模型的正确性。该理论模...
关键词：微波脉冲 CMOS反相器 闩锁效应 脉冲宽度 
电磁干扰对CMOS传输门的影响
《清华大学学报（自然科学版）》2012年第12期1709-1714,共6页陈杰 杜正伟 
国家自然科学基金面上项目(60971005)
电磁干扰对于电子设备的影响日益明显,因此对其干扰机理的研究至关重要。该文采用器件物理模拟的方法,利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS传输门在频率从1MHz到20GHz,功率从-2到24dBm电磁干扰作用下的响应。仿真结...
关键词：CMOS传输门 器件物理模拟 电磁干扰 
CMOS反相器的电磁干扰频率效应被引量：9
《强激光与粒子束》2012年第1期147-151,共5页陈杰 杜正伟 
国家高技术发展计划项目
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容...
关键词：CMOS反相器 器件物理模拟 电磁干扰 翻转 耦合 
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