邹和成

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：南京大学更多>>
发文主题：等离子体增强化学气相淀积多层膜衬底材料SINX更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
发文期刊：《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
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激光干涉结晶技术制备二维有序分布纳米硅阵列被引量：4
《物理学报》2005年第8期3646-3650,共5页邹和成 乔峰 吴良才 黄信凡 李鑫 韩培高 马忠元 李伟 陈坤基 
国家自然科学基金(批准号:60471021;90301009;90101020;10174035);国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503)资助的课题.~~
利用结合移相光栅掩模(PSGM)的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx为50nm,衬底材料为SiO2/Si或熔凝石英.原...
关键词：结晶技术 纳米硅 激光干涉 阵列 分布 有序 二维 制备 高分辨透射电子显微镜 化学气相淀积法 等离子体增强 SINX 原子力显微镜 三明治结构 晶化区 SI02 衬底材料 观测结果 表面形貌 颗粒尺寸 择优取向 样品 原始 微结构 
激光限制结晶技术制备nc-Si/SiO_2多层膜被引量：3
《物理学报》2004年第12期4303-4307,共5页乔峰 黄信凡 朱达 马忠元 邹和成 隋妍萍 李伟 周晓辉 陈坤基 
国家自然科学基金(批准号 :90 10 10 2 0 ;10 1740 3 5 ;90 3 0 10 0 9);国家重点基础研究发展规划(批准号:2 0 01CB610 5 0 3 );高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:2 0 0 10 2 840 3 5 )资助的课题~~
在等离子体增强化学气相淀积系统中 ,采用a Si:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了a Si:H SiO2 多层膜 .在激光诱导限制结晶原理基础上 ,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源 ,对a Si:H SiO2 多层膜进行辐照 ,使纳米级厚度...
关键词：a-Si:H RAMAN散射 化学气相淀积 激光辐照 生长技术 等离子体增强 多层膜 SiO2 电子衍射 结晶原理 
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