余和军

作品数：4被引量：3H指数：1
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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文主题：波导分束器测量方法SOI光输出更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《物理学报》《Journal of Semiconductors》《材料科学与工程学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
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面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展
《材料科学与工程学报》2009年第1期153-156,149,共5页陈少武 余金中 徐学俊 黄庆忠 余和军 屠晓光 李运涛 
国家自然科学基金资助项目(60577044);“863计划”资助项目(2006AA032424);“973计划”资助项目(2007CB613405)
光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconne...
关键词：硅基光子学 片上光互连 CMOS微纳加工工艺 无源光子集成器件 光子线波导 微腔滤波器 
硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期568-571,共4页陈少武 屠晓光 余和军 樊中朝 徐学俊 余金中 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60577044)
讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗...
关键词：硅基微纳光子器件 电子束/光学邻近效应 ICP-RIE刻蚀 光波导侧壁粗糙度 CVD 
An All-E-Beam Lithography Process for the Patterning of 2D Photonic Crystal Waveguide Devices
《Journal of Semiconductors》2006年第11期1894-1899,共6页余和军 余金中 陈绍武 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60537010)~~
We present an all-e-beam lithography （EBL） process for the patterning of photonic crystal waveguides. The whole device structures are exposed in two steps. Holes constituting the photonic crystal lattice and defects...
关键词：photonic crystal e-beam lithography stitching problem proximity effect correction 
一种模拟倾斜折射率界面光波导的新方法被引量：3
《物理学报》2006年第3期1023-1028,共6页余和军 夏金松 余金中 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312060);国家重点基础研究发展计划(批准号:G20000366)资助的课题.~~
针对传统离散格式下,束传播方法(BPM)模拟倾斜折射率界面出现的问题,提出了一种简明且易于编程实现的改进方案.在横向上,通过坐标系变换和插值处理,以新颖的7点差分格式代替传统的5点差分方式;在纵向上,以四阶显式Runge_Kutta方法(RKBPM...
关键词：束传播方法 RUNGE-KUTTA方法 光波导 脊形波导 
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