付嵩琦

作品数：2被引量：6H指数：2
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：有机薄膜晶体管晶体管性能阈值电压迁移率钛更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《功能材料》《半导体光电》更多>>
所获基金：中国人民解放军总装备部预研基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
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不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究被引量：4
《半导体光电》2011年第1期52-55,108,共5页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 
总装预研基金项目
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈...
关键词：沟道宽长比 有机薄膜晶体管 迁移率 阈值电压 
有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究被引量：2
《功能材料》2010年第A02期361-364,共4页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 
总装预研基金资助项目(9140A23060510DZ02);中央高校基本科研业务费专项资助项目(ZYGX2009J052)
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻...
关键词：刻蚀 有机薄膜晶体管 钛/金 最佳工艺条件 
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