严剑飞

作品数：5被引量：20H指数：3
导出分析报告
供职机构：电子科技大学更多>>
发文主题：有机薄膜晶体管阈值电压迁移率OTFT过渡层更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《仪表技术与传感器》《微处理机》《功能材料》《半导体光电》更多>>
所获基金：中国人民解放军总装备部预研基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
《半导体光电》2011年第2期168-171,279,共5页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 肖战菲 朱涛 熊丽霞 罗振飞 
中央高校基本科研业务费专项资金项目(ZYGX2009J052);中央高校基本科研业务费学生专用资金项目
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中...
关键词：CUPC 有机薄膜晶体管 迁移率 体电导率 阈值电压 
不同沟道宽长比有机薄膜晶体管性能的研究被引量：4
《半导体光电》2011年第1期52-55,108,共5页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 
总装预研基金项目
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了三种不同沟道宽长比的有机薄膜晶体管器件。通过对这三种器件的电学特性进行对比,分析了不同沟道宽长比对器件电学性能的影响。结果表明,沟道宽长比对器件的迁移率影响很小,阈...
关键词：沟道宽长比 有机薄膜晶体管 迁移率 阈值电压 
有机薄膜晶体管钛/金电极的刻蚀工艺研究被引量：2
《功能材料》2010年第A02期361-364,共4页严剑飞 吴志明 太惠玲 李娴 付嵩琦 
总装预研基金资助项目(9140A23060510DZ02);中央高校基本科研业务费专项资助项目(ZYGX2009J052)
采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和湿法刻蚀的方法,分别刻蚀有机薄膜晶体管(OTFT)的钛/金薄膜电极。改变刻蚀的工艺条件,研究了不同的刻蚀工艺对OTFT器件性能的影响,并对刻蚀结果进行了比较与分析。结果表明,ICP干法刻蚀不适合用来刻...
关键词：刻蚀 有机薄膜晶体管 钛/金 最佳工艺条件 
二氧化硅的干法刻蚀工艺研究被引量：11
《微处理机》2010年第2期16-18,22,共4页严剑飞 袁凯 太惠玲 吴志明 
主要研究了二氧化硅的干法刻蚀工艺。运用反应离子刻蚀设备(R IE150×4)进行了一系列的刻蚀实验,采用不同的工艺条件对二氧化硅进行选择刻蚀工艺研究,得出了不同工艺条件对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较...
关键词：反应离子刻蚀 二氧化硅 最佳工艺条件 
集磁式光纤电流传感器系统设计被引量：3
《仪表技术与传感器》2009年第5期10-12,共3页严剑飞 覃统成 汤伟峰 彭湖 欧中华 
介绍了基于磁光材料的法拉第效应的系统工作原理,采用块状磁光材料与集磁环相结合的方法制作的传感头,稳定化光源和A/D转换等实现方法。实验结果表明:该电流传感器系统在30 kV工作电压下可实现对30 kA脉冲及交流电流的测量,为高压下大...
关键词：磁光材料 集磁环 光纤电流传感器 脉冲电流 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部