奚正蕾

作品数：3被引量：3H指数：1
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供职机构：上海交通大学更多>>
发文主题：金刚石薄膜介电性能纳米金刚石薄膜刻蚀图形化更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《航空精密制造技术》《微细加工技术》《上海交通大学学报》更多>>
所获基金：教育部重点实验室基金更多>>
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复合金刚石薄膜的介电特性
《上海交通大学学报》2002年第5期694-697,共4页莘海维 凌行 奚正蕾 张志明 沈荷生 戴永兵 
教育部上海交通大学薄膜与微细技术重点实验室基金资助项目
利用热丝大面积金刚石薄膜气相合成 ( CVD)装置制备了复合金刚石薄膜 ,并对其表面和断面分别进行了扫描电镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和 Raman光谱表征 .研究了该复合结构的介电性能 ,利用共振电路测量了高频下薄膜的介质损耗与频...
关键词：金刚石薄膜 复合结构 介电特性 
金刚石薄膜图形化技术的研究被引量：2
《航空精密制造技术》2002年第1期9-12,共4页莘海维 奚正蕾 凌行 张志明 
教育部上海交通大学微细技术重点实验室基金资助
从金刚石薄膜半导体器件的实用要求出发,比较了金刚石薄膜的各种图形化技术,研究了它们各自的特点和适用性,如播种法选择性生长、掩膜法选择性生长、离子束刻蚀和反应离子刻蚀技术等。
关键词：金刚石薄膜 图形化 选择性生长 刻蚀 
常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较被引量：1
《微细加工技术》2001年第4期50-55,共6页奚正蕾 莘海维 张志明 凌行 沈荷生 戴永兵 万永中 陆鸣 
教育部薄膜与微细技术重点实验室资助
用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明 ,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜 ,介电性能比较理想。两种薄膜的介电常数基本相同 ,损耗角正切值在1 0 ...
关键词：金刚石薄膜 纳米金刚石薄膜 介电性能 
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