陆鸣

作品数：19被引量：37H指数：3
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脱线功率变换应用的高压集成电路
《电源世界》2007年第3期48-53,共6页陆鸣 
本文讨论脱线功率变换面临的特殊情况,对适于高、低压灯源电子镇流、脱线开关电源和其中应用的功率变换高压集成电路作了简要说明。
关键词：脱线功率变换 高压集成电路 
新型MOS氧化层TiO_2薄膜
《压电与声光》2003年第6期494-496,共3页张良 陆鸣 王民 许效红 
采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2,并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率,与SiO2作比较,结果表明:TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质,更适应于超大规模集成电路制造。
关键词：TIO2薄膜 MOS结构 介电常数 电阻率 表面固定电荷密度 
降低同步整流DC-DC变换器损耗技术的新拓扑被引量：1
《半导体技术》2003年第8期57-59,68,共4页张良 陆鸣 
介绍了开关电源的同步整流原理,列出了采用同步整流技术直流-直流变换器的几种主要损耗,着重分析了两种降低主要损耗的新型优化拓扑电路以及其优缺点。
关键词：同步整流 DC—DC变换器 开关电源 直流-直流变换器 拓扑电路 损耗技术 
PIN二极管的PSPICE子电路模型被引量：6
《电力电子技术》2003年第3期91-94,共4页施浩 陆鸣 
提出了一种PIN二极管的PSPICE子电路模型。该模型同时考虑了二极管的反向恢复、端区复合以及空间电荷区边界移动效应。能更精确地模拟PIN二极管的开关特性。
关键词：二极管 模型 仿真/于电路 PIN二极管 
常规与纳米金刚石薄膜介电性能的比较被引量：1
《微细加工技术》2001年第4期50-55,共6页奚正蕾 莘海维 张志明 凌行 沈荷生 戴永兵 万永中 陆鸣 
教育部薄膜与微细技术重点实验室资助
用热丝CVD方法制备了常规和纳米金刚石薄膜。测量了其电阻率、介电常数和损耗角正切值。实验结果表明 ,常规金刚石薄膜的电导率、损耗角正切值均小于纳米金刚石薄膜 ,介电性能比较理想。两种薄膜的介电常数基本相同 ,损耗角正切值在1 0 ...
关键词：金刚石薄膜 纳米金刚石薄膜 介电性能 
应用TOPSwitch器件设计功率因数校正电源被引量：3
《电力电子技术》2001年第4期32-35,38,共5页柏松 陆鸣 
讨论了在Boost功率变换电路中进行功率因数校正的方法 。
关键词：开关电源 功率因数校正电源 TOPSwitch器件 电力系统 
TOPSwitch器件在电源中的应用被引量：3
《电源技术应用》2001年第1期19-23,共5页柏松 陆鸣 
采用 PWM 控制器和 MOSFET 功率开关一体化的集成控制芯片是新一代开关电源设计的重要特点和趋势。本文介绍美国功率集成公司(Power Integrations Inc.)于九十年代中期研制推出的三端 PWM/MOSFET 二合一集成控制器件 TOPSwitch 系列及...
关键词：开关电源 TOPSwithch器件 集成控制芯片 MOSFET器件 
高性能电子镇流器系统及其专用集成控制器
《电源技术应用》2000年第7期359-365,共7页陆鸣 张宇 
讨论高性能电子镇流器系统必需具备的电路结构、功率因子校正电路的基本原理，介绍美国微线性公司（Ｍｅｃｒｏ Ｌｉｎｅａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）的电子镇流器专用集成控制器及其构成的高性能电子镇流器电路。
关键词：电子镇流器 专用集成控制器 照明技术 
功率因数校正控制器UC3854的建模与应用被引量：1
《电源技术应用》2000年第6期282-285,共4页张宇 陆鸣 
介绍功率因数校正控制器ＵＣ３８５４的组成原理与特性，根据宏模型概念，构建ＵＣ３８５４主要功能模块的宏模型，并以该宏模型为核心对功率因数校正电路在ＰＳＰＩＣＥ环境下进行仿真。
关键词：功率因数校正控制器 UC3854 建模 计算机仿真 
谐振型功率变换集成控制器
《仪表技术》1998年第6期42-45,共4页陆鸣 
介绍谐振型功率变换电路专用集成控制器UC1861、UC1864和UC1865系列内部的切换定时、故障管理和缓启动等关键特性及在谐振型零电压切换(ZVS)与零电流切换(ZCS)电路中的应用.
关键词：谐振型 功率变换 集成控制器 功率变换电路 
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