许兆鹏

作品数：4被引量：7H指数：1
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GaAs、GaP、InP、InGaAsP、AlGaAs、InAlGaAs的化学腐蚀研究被引量：6
《固体电子学研究与进展》1996年第1期56-63,共8页许兆鹏 
为研制全集成光开关、微片式激光器等，对ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＡＩＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ等材料的化学腐蚀进行了实验研究。为了研制ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ微片式激光器，开发了Ｈ３Ｐ...
关键词：磷化镓 磷化铟 砷化镓 化学腐蚀 
GaAs的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究
《固体电子学研究与进展》1995年第4期403-407,共5页许兆鹏 
在前研究ＩｎＰ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀的基础上，进行了ＧａＡｓ的ＣＨ４／Ｈ２反应离子腐蚀研究。ＧａＡｓ的腐蚀速率比ＩｎＰ慢，随ＣＨ４／Ｈ２组份之比值、工作压强、总流量率等而改变，从２ｎｍ／ｍｉｎ到８ｎｍ／ｍｉｎ。当...
关键词：砷化镓 甲烷/氢气 反应离子腐蚀 
磷化铟的CH_4／H_2反应离子腐蚀研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》1995年第2期173-179,共7页许兆鹏 
研究了用来制作ＩｎＰ微细结构的反应离子腐蚀（ＲＩＥ）技术，采用ＰＬＡＳＭＡＬａｂμＰＭｏｄｕｌａｒ反应离子腐蚀系统，在ＣＨ４／Ｈ２／Ａｒ环境中，研究了ＩｎＰ的腐蚀速率、表面形貌、剩余损伤层等随反应气体组分、压力等的变...
关键词：磷化铟 甲烷 氢气 反应离子腐蚀 
1986年IEEE GaAs集成电路会议概况
《固体电子学研究与进展》1987年第1期86-89,共4页许兆鹏 
1986年IEEE砷化镓集成电路会议(即1986 IEEE GaAs IC Symposium)于1986年10月28日至30日在美国佛洛里达州奥兰多市南郊120公里的Grenelefe渡假村召开。这是自1979年召开第一届砷化镓集成电路会议以来的第八次年会。参加会议的有美、日...
关键词：GAAS MMIC 微波 FET 电磁波 会议概况 
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