谢应涛

作品数:7被引量:12H指数:2
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供职机构:上海交通大学更多>>
发文主题:有机电致发光器件有机薄膜晶体管电子传输材料绝缘层晶体管性能更多>>
发文领域:电子电信更多>>
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薄膜晶体管中绝缘层的研究现状与趋势被引量:4
《液晶与显示》2016年第4期380-385,共6页王东平 谢应涛 欧阳世宏 朱大龙 许鑫 谭特 方汉铿 
本文主要介绍了绝缘层在薄膜晶体管中的重要作用,总结了在薄膜晶体管中应用的绝缘层材料种类及其特点,介绍了不同绝缘层的制备工艺,以及各种制备工艺的原理与特点。最后,通过分析近几年有关薄膜晶体管绝缘层的文献,介绍了薄膜晶体管在...
关键词:薄膜晶体管 溶胶凝胶法 紫外光退火 低温工艺 
聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析被引量:2
《液晶与显示》2015年第3期427-431,共5页谢应涛 欧阳世宏 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿 
教育部新老师基金项目(No.20110073120018)
基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,...
关键词:聚合物 有机薄膜晶体管 场效应迁移率 
基于金属电极和有机半导体层的制备工艺对有机薄膜晶体管性能的研究被引量:2
《半导体光电》2015年第1期88-91,共4页朱大龙 谢应涛 许鑫 欧阳世宏 方汉铿 
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过不同方法制备有机半导体层、栅极和漏极,以提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,有机半导体层是否图形化以及不同金属电极的制备工艺对器件的接...
关键词:剥离 湿刻法 半导体层图形化 接触电阻 有机薄膜晶体管 
基于双层界面修饰的高性能底栅底接触有机薄膜晶体管研究被引量:3
《光电子技术》2014年第4期230-233,共4页谢应涛 欧阳世宏 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿 
教育部新教师基金(20110073120018)
一种兼容的双界面修饰被成功应用于修饰有机薄膜晶体管的底接触电极和绝缘层界面。这种兼容的双界面修饰为首先采用4-FTP修饰银源漏电极进而提高其功函数,然后采用HMDS或者OTS进一步修饰二氧化硅绝缘层界面。结果显示场迁移率得到极大提...
关键词:有机薄膜晶体管 绝缘层界面修饰 电极界面修饰 
基于有机硅栅绝缘层的制备工艺对OTFT性能的影响
《半导体光电》2014年第6期1043-1046,共4页许鑫 朱大龙 石强 谢应涛 欧阳世宏 方汉铿 
基于聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作了有机薄膜晶体管(OTFT),通过尝试不同旋涂速度、表面预处理、退火温度等条件来优化聚合物绝缘材料的制备工艺参数,获得了良好的绝缘性的聚合物绝缘材料和器件特性。结果表明,绝...
关键词:硅氧烷 聚合物栅极绝缘层 有机薄膜晶体管 
溶液法制备环保型高分子聚合物薄膜晶体管被引量:1
《半导体光电》2014年第5期824-827,842,共5页蔡述澄 谢应涛 石强 欧阳世宏 方汉铿 
基于一种新型的稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物半导体(PTDPPTFT4),采用溶液法工艺制作了高性能环保型、空穴型有机薄膜晶体管。通过尝试不同的半导体层退火温度及退火时间,优化了有机薄膜晶体管的性能。当采用对二甲苯溶剂,退火温度为19...
关键词:溶液法制程 聚合物薄膜晶体管 迁移率 
溶液法制程对有机薄膜晶体管性能影响的研究
《半导体光电》2014年第4期617-620,共4页石强 谢应涛 蔡述澄 欧阳世宏 方汉铿 
基于新型的聚合物绝缘材料和半导体材料,采用溶液法旋涂工艺制作有机薄膜晶体管,通过优化聚合物半导体材料的溶剂、旋涂速度、退火温度等条件,提高有机薄膜晶体管的器件性能。结果表明,不同溶剂溶解半导体对制成的有机薄膜晶体管的迁移...
关键词:溶液法制程 旋涂 聚合物 有机薄膜晶体管 迁移率 
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