赵维

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：北京工业大学更多>>
发文主题：场发射衬底电子发射脉冲激光沉积铝镓氮更多>>
发文领域：理学电子电信一般工业技术经济管理更多>>
发文期刊：《物理学报》《中国科学：信息科学》《液晶与显示》更多>>
所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市科技新星计划教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
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硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究被引量：1
《物理学报》2013年第1期429-434,共6页王京 王如志 赵维 陈建 王波 严辉 
国家自然科学基金(批准号:11074017;51072236);北京市属市管高等学校人才强教计划(批准号:PHR201007101);北京市科技新星计划(批准号:2008B10);北京市自然科学基金(批准号:1102006);北京工业大学基础研究基金资助的课题~~
利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1%的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显著降低.掺杂带来...
关键词：铝镓氮 场发射 Si掺杂 
反应溅射法制备氮化铝薄膜及工作气压对其场发射性能的影响
《液晶与显示》2010年第6期792-797,共6页李松玲 王如志 赵维 王波 严辉 
国家自然科学基金项目(No.11074107);北京市学术创新团队建设计划(No.PHR201007101);北京市科技新星计划(No.2008B10);北京市自然科学基金(No.1102006);教育部留学回国人员科研启动基金
采用反应磁控溅射法在不同工作气压(0.5～2.0Pa)下沉积了一系列氮化铝(AlN)薄膜。研究发现,在保持其他工艺参数不变的条件下,工作气压对薄膜厚度的影响很小。场发射性能测试表明,在较低的工作气压(0.5Pa和0.7Pa)下制备的AlN薄膜具有一...
关键词：氮化铝薄膜 场发射 工作气压 缺陷 
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