刘晓峰

作品数：5被引量：17H指数：2
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供职机构：深圳大学光电子学研究所更多>>
发文主题：GAN薄膜表面处理MOCVDGANSI更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光子学报》《物理学报》《人工晶体学报》《电子器件》更多>>
所获基金：广东省粤港关键领域重点突破项目深圳市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
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预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜(英文)被引量：1
《电子器件》2008年第1期57-60,共4页彭冬生 冯玉春 牛憨笨 刘晓峰 
广东省自然科学基金(04300863);广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107);深圳市科技计划项目(200515)
采用化学方法腐蚀部分c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量。分析...
关键词：MOCVD 表面处理 GAN薄膜 
超晶格插入层对Si基上GaN薄膜位错密度的影响(英文)被引量：1
《电子器件》2008年第1期61-64,共4页刘晓峰 冯玉春 彭冬生 
深圳大学开放实验室基金资助(200515);广东省科技基金资助(2B2003A102)
为了降低MOCVD外延生长Si基GaN的缺陷密度,尝试引入超晶格插入层。界面突变的超晶格插入层能有效地阻挡由缓冲层延伸出来的位错。即使超晶格本身也产生位错,但位错的产生率比阻挡率低,所以超晶格总体起阻挡作用,可以减少后续生长的HT-G...
关键词：GAN SI(111) 超晶格 位错密度 
蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：2
《光子学报》2007年第8期1443-1447,共5页彭冬生 冯玉春 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 
广东省自然科学基金(04300863) ;广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107);深圳市科技计划项目(200515)资助
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐...
关键词：表面处理 MOCVD 横向外延生长 GAN薄膜 
低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂
《人工晶体学报》2006年第4期772-776,共5页冯玉春 刘晓峰 王文欣 彭冬生 郭宝平 
广东省关键领域重点突破项目(No.ZB2003A07);深圳市科技计划项目(No.200515)
为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温A lN。低温A lN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层。本文重点研究了低...
关键词：SI(111) GAN AIN 
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：13
《物理学报》2006年第7期3606-3610,共5页彭冬生 冯玉春 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 
广东省自然科学基金(批准号:04300863);广东省关键领域重点突破项目(批准号:2B2003A107);深圳市科技计划项目(批准号:200515)资助的课题.~~
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微...
关键词：表面处理 MOCVD 横向外延生长 GAN薄膜 
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