施炜

作品数：4被引量：20H指数：2
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供职机构：深圳大学更多>>
发文主题：表面处理MOCVDGAN薄膜共振腔单环更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《光子学报》《物理学报》《液晶与显示》更多>>
所获基金：广东省粤港关键领域重点突破项目深圳市科技计划项目广东省自然科学基金更多>>
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蓝宝石表面处理对氮化镓薄膜的影响被引量：2
《光子学报》2007年第8期1443-1447,共5页彭冬生 冯玉春 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 
广东省自然科学基金(04300863) ;广东省关键领域重点突破项目(2B2003A107);深圳市科技计划项目(200515)资助
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过不同腐蚀时间的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射仪、三维视频光学显微镜、扫描电子显微镜和原子力显微镜进行分析.结果表明,对蓝宝石衬底腐...
关键词：表面处理 MOCVD 横向外延生长 GAN薄膜 
多量子阱中注入载流子的非均匀分布被引量：2
《光子学报》2006年第9期1313-1316,共4页施炜 黄黎蓉 段子刚 冯玉春 
深圳市科技计划项目(200515);广东省关键领域重点突破项目(No.2B2003A107);深圳大学省;部重点实验室开放基金资助
根据多量子阱中注入载流子的输运机制,计算了多量子阱中注入载流子的非均匀分布.引入不均匀度参量Asy来衡量载流子分布的不均匀程度,分析了各种敏感因素对载流子非均匀分布的影响.指出注入载流子分布的非均匀性,随量子阱数、注入电流、...
关键词：半导体器件与技术 多量子阱 注入载流子 非均匀分布 
Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量被引量：3
《液晶与显示》2006年第6期655-659,共5页卫静婷 冯玉春 李炳乾 杨建文 刘文 王质武 施炜 杨清斗 
广东省关键领域重点突破项目(No.2B2003A107);深圳市科技计划项目(No.200515);深圳大学省;部重点实验室开放基金项目
通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,...
关键词：p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率 
一种外延生长高质量GaN薄膜的新方法被引量：13
《物理学报》2006年第7期3606-3610,共5页彭冬生 冯玉春 王文欣 刘晓峰 施炜 牛憨笨 
广东省自然科学基金(批准号:04300863);广东省关键领域重点突破项目(批准号:2B2003A107);深圳市科技计划项目(批准号:200515)资助的课题.~~
采用化学方法腐蚀c-面蓝宝石衬底,以形成一定的图案;利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上以及常规c-面蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、三维视频光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微...
关键词：表面处理 MOCVD 横向外延生长 GAN薄膜 
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