宋经纬

作品数：4被引量：1H指数：1
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供职机构：西华师范大学物理与电子信息学院更多>>
发文主题：掺杂半导体纳米晶体光电特性催化剂LA更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《大学物理实验》《微纳电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金浙江省科技厅新苗人才计划更多>>
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La基高k栅介质的研究进展
《微纳电子技术》2010年第5期282-289,共8页陈伟 方泽波 马锡英 谌家军 宋经纬 
国家自然科学青年基金项目(60806031);国家自然科学基金项目(60776004);绍兴市重点科研项目(2007A21015)
SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点。综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出...
关键词：高K栅介质 La基氧化物 二氧化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 摩尔定律 
硅纳米线的PECVD生长研究
《大学物理实验》2010年第2期27-30,共4页徐泓 宋经纬 周祥 吴金姿 陈忠平 马锡英 
国家自然科学基金项目(No.60776004);浙江省新苗计划项目(No.2008R40G2180006);绍兴市大学生科技创新计划项目
本文以硅烷(SiH4)为反应气体,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在硅(100)衬底上生长硅纳米晶体、纳米线。应用扫描电镜观察不同条件下生长的样品表面,发现衬底条件对硅纳米结构的影响十分显著。在温度、压强等其它条件相同的情况下...
关键词：硅纳米线 PECVD VLS机制 催化剂 硅纳米晶粒 
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展被引量：1
《微纳电子技术》2009年第7期404-409,共6页王醉 马锡英 宋经纬 陈中平 杨爱国 姚江宏 
国家自然科学基金资助项目(60776004);浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在...
关键词：半导体纳米晶体 掺杂 光电特性 胶体法 掺杂机制 
Si纳米线及其器件研究进展
《微纳电子技术》2009年第5期285-291,共7页宋经纬 周祥 谌家军 马锡英 
国家自然科学基金项目(60776004);浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)
Si纳米线是一种非常重要的一维半导体纳米材料,在纳米器件方面有很好的应用前景。综述了Si纳米线的一些重要制备方法:激光烧蚀法、模板法、化学气相生长法、热蒸发法,简要介绍了各种制备方法过程并分析各种方法制备纳米线的优缺点。还...
关键词：SI纳米线 纳米线电子器件 纳米线电池 纳米线传感器 电学特性 
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