王士良

作品数:12被引量:25H指数:2
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供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文主题:法拉第电容率算符导纳非线性更多>>
发文领域:理学电气工程一般工业技术电子电信更多>>
发文期刊:《绝缘材料》《前沿科学》《电工技术学报》《压电与声光》更多>>
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绝缘材料交变极化电参数的研究
《前沿科学》2017年第2期32-41,共10页王士良 
本文共分三个部分:1.在"电工材料"等有关书籍中,Y代表并联等值电路,Z代表串联等值电路。Y与Z的关系原本是对等的,它既可用Y=1/Z表示,又可用Z=1/Y表示。人们在实践的基础上,总结出来的似乎是并联等值电路更能代表绝缘材料交变极化的性质...
关键词:容性 并联 串联 等值电路 电容率 损耗角 因数 
(绝对)电容率和法拉第广义电容率
《前沿科学》2016年第2期71-74,共4页王士良 
国际电工界认为,场和路的统一关系是有普遍意义的,这里当然包括库伦电场强度E_库与直流电场强度E的对等统一关系。但是E是在E_库基础上发展而来的,发展前的E_库和发展后的E是不可能完全相等的。基于E_库=E之上的(绝对)电容率定义子句是...
关键词:绝对 法拉第 广义 电容率 定义 统一 发展 
法拉第广义电容率定义的研究被引量:3
《前沿科学》2014年第4期48-55,共8页王士良 
外电源给予的直流电场强度E的规则D=εE不同于库伦电场强度E库的规则D库=εE库。E=E库的混合规则D(=D库)=εE给(绝对)电容率ε的定义提供了依据。E=E库式子不能成立,D(=D库)=εE式子也不能成立。所以当今电介质的(绝对)电容率...
关键词:电源 库伦  电场强度 电通量密度 法拉第 广义 电容率 
E=E_库的命题不能成立被引量:1
《前沿科学》2014年第1期56-62,共7页王士良 
直流电场强度E与库伦电场强度E库统一的结果为E=E库,这就是经典电磁学的结论。但是E=E库式子成立是有条件的,此条件是E和E库统一的充分必要条件。在此场合下,实在无法满足这种充分必要条件的成立,因此这个统一的命题也就不能成立。E和E...
关键词:充分 必要 充分必要 条件 发展 统一 
麦克斯韦方程组的研究被引量:1
《前沿科学》2013年第3期55-58,共4页王士良 
库伦电场强度E_库(=q_库/4πεr^2)与外电源的直流电场强度E大不相同。麦克斯韦方程组由四个方程式组成,其中div D=ρ和curlH=J+D/t中的D是不相同的。前者为库伦电位移D_库(=q_库/4πr^2),它与电介质的电容率ε无关;后者仅仅为真空...
关键词:外电场 电通密度 库伦电场 库伦电位移 高斯 安培 法拉第 麦克斯韦 
论在正弦电场下场和路的统一被引量:1
《前沿科学》2013年第2期47-53,共7页王士良 
麦克斯韦的全电流方程式与交流电路基本算符的综合形式是能统一的。本文揭示了一个重要的结果,那就是容性和感性两种统一算符分别为同一交流基本算符在以容性参数为主和以感性参数为主的电路系统中的具体表现形式,导纳统一运算方程组的...
关键词:场和路 导纳和阻抗 统一 算符 方程组 
电通密度和库伦电位移的定义研究被引量:3
《前沿科学》2012年第4期37-45,共9页王士良 
在当今的电介质极化理论中:(1)由外电源所提供的直流电场强度不同于库伦电场强度,相应的外直流电源规则也不同于库伦的规则。这些差别的存在,就给电通密度和库伦电位移的定义研究,提供了理论的依据。(2)交流电介质极化电参数的定义,本...
关键词:外电源 电通密度 库伦 电位移 法拉第 相对电容率 
关于修改电容率定义组的探讨被引量:1
《绝缘材料》2004年第5期38-41,共4页王士良 
复电容量C ′ac为稳态交流电场下的电容量C(C=C ′ac);相对复电容率ε ′r也为稳态交流电场下的相对电容率εr(εr=ε ′r)。交流电容量Cac和交流电容率εr[即交流(相对)电容率]分别为复电容量C ′ac和相对复电容率ε ′r的实部数值。
关键词:电容量 电容率 定义 
电子网络的过电压防护技术
《中国电子商情(元器件市场)》2002年第10期57-57,共1页王士良 
过电压的种类电工、电子网络中的过电压,如果按网络绝缘水平的要求来分,可分为允许过电压和有害过电压两种。凡是低于网络绝缘配合水平的过电压,称为允许过电压,超出这个水平的过电压,称为有害过电压。如果按电压形成的机理来分,可分为...
关键词:电子网络 过电压防护 允许过电压 有害过电压 防护元件 
SiO_2对TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响被引量:15
《压电与声光》1994年第5期41-43,共3页许毓春 李慧峰 王士良 王礼琼 
本文主要讨论SiO_2对TiO_2系压敏陶瓷电性能的影响,并从理论上作了深入分析。
关键词:二氧化钛 压敏陶瓷 非线性 二氧化硅 
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