张泽洪

作品数：4被引量：6H指数：1
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供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文主题：工件气相沉积碳化硅成膜衬底更多>>
发文领域：电子电信医药卫生文化科学经济管理更多>>
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Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善
《物理学报》2021年第3期224-231,共8页李传纲 鞠涛 张立国 李杨 张璇 秦娟 张宝顺 张泽洪 
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61804166)资助的课题。
"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲层的方法阻止少子空穴...
关键词：4H-SIC Ti掺杂 复合增强缓冲层 双极型退化 
石墨涂层对控制碳化硅外延掺杂的影响研究
《智能电网》2016年第7期644-648,共5页鞠涛 李哲 钮应喜 王嘉铭 张立国 范亚明 杨霏 张泽洪 张宝顺 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
碳化硅同质外延过程中,反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理,极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外延掺杂浓度具体的定量研究,一直没有具体的数据。采用自主...
关键词：碳化硅同质外延 涂层石墨 载流子浓度 碳硅比 
4H-SiC氯基体系外延研究被引量：1
《智能电网》2016年第7期649-652,共4页李哲 鞠涛 钮应喜 王嘉铭 张立国 范亚明 杨霏 张泽洪 张宝顺 
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-14-004)~~
化学气相沉积法（chemical vapor deposition,CVD）外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术,而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生长工艺,在自主研发的热壁CVD系统中在20μm/h生长速率的条件...
关键词：碳化硅 外延 化学气相沉积 氯基 
外延生长碳化硅-石墨烯薄膜的制备及表征研究被引量：5
《功能材料》2015年第4期4140-4143,共4页张学敏 张立国 钮应喜 鞠涛 李哲 范亚明 杨霏 张泽洪 张宝顺 
中国科学院科研装备研制资助项目(YZ201252);国家电网科技资助项目(SGRI-WD-71-14-004)
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有效途径之一。利用感应加热的高温 CVD 设备，先在4H-SiC ...
关键词：石墨烯 碳化硅 外延生长 晶体质量 
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