吴涛

作品数：5被引量：11H指数：2
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供职机构：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所更多>>
发文主题：半导体激光器激光器表面粗糙度半导体激光封装技术更多>>
发文领域：电子电信化学工程理学更多>>
发文期刊：《激光与光电子学进展》《真空与低温》《激光与红外》《电子元件与材料》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>
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980nm高功率锥形激光器巴条的制备及光电特性被引量：2
《激光与光电子学进展》2016年第4期138-143,共6页吴涛 郭栓银 
国家863计划;苏州市科技发展技术项目(SH2014024)
采用InGaAs/AlGaAs外延材料体系,设计和制作了980 nm高功率锥形半导体激光器巴条阵列。该锥形半导体激光器巴条的总长为10 mm,腔长为3 mm。对该巴条器件以及巴条上面的单芯片进行了一系列的光电性能测试,实验结果表明,巴条器件的阈值电...
关键词：激光器 锥形 巴条 高功率 
脉冲镀金在半导体激光器中的应用及工艺优化被引量：4
《激光与红外》2015年第6期631-634,共4页吴涛 
为提高半导体激光器芯片的焊接成功率以及器件的性能寿命，采用脉冲电镀技术在半导体激光器芯片 P 面沉积了厚金层，详细研究了镀金液 pH 值和电流通断比对镀金层组织形貌、表面粗糙度、内应力、沉积均匀性以及粘附力的影响规律。结果...
关键词：激光器 薄膜 脉冲电镀 焊接 表面粗糙度 内应力 
GaAs衬底上氮化硅钝化层的低温制备工艺研究被引量：1
《激光与光电子学进展》2015年第3期186-192,共7页吴涛 江先锋 
国家863计划;苏州市科技发展技术项目(SH2014024)
为了获得应用于AlGaAs激光器上的优异的氮化硅薄膜,采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）低温条件下在GaAs衬底上制备了不同参数的氮化硅薄膜,利用光学膜厚仪、原子力显微镜（AFM）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）等技术对薄膜残余应力、...
关键词：激光器 等离子增强化学气相沉积 氮化硅薄膜 低温 残余应力 表面粗糙度 
低温沉积SiO_2薄膜工艺的研究被引量：1
《真空与低温》2013年第3期168-171,共4页李璟文 周艺 吴涛 章强 
利用等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)研究SiO2薄膜低温制备工艺,分析工艺条件对薄膜性能参数影响,通过调节射频功率优化薄膜应力,在150℃低温下获得接近零应力SiO2薄膜,薄膜沉积速率约为40 nm/min,片内均匀性优于3%,折射率为1.46±...
关键词：PECVD SIO2 应力附着力 柔性电子 
退火参数对p型GaAs欧姆接触性能的影响被引量：3
《电子元件与材料》2013年第4期24-27,共4页吴涛 江先锋 周旻超 郭栓银 张丽芳 
采用磁控溅射的方法在P型GaAs衬底上沉积了Ti／Pt／Au金属薄膜，研究了退火工艺参数（温度和时间）对p-GaAs／Ti／Pt／Au欧姆接触性能的影响。结果表明：p-GaAs上制作的Ti／Pt／Au金属系统能在很短的退火时间（60S）内形成很好的欧姆接...
关键词：p型砷化镓 欧姆接触 磁控溅射 Ti/Pt/Au 退火 圆形传输线模型 比接触电阻率 
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