邵晨峰

作品数：3被引量：4H指数：1
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发文主题：晶圆锗硅化学气相淀积计算流体动力学SIN更多>>
发文领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
发文期刊：《西安电子科技大学学报》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划高等学校学科创新引智计划更多>>
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绝缘层上单轴应变硅的应力计算与分析
《西安电子科技大学学报》2018年第1期162-167,共6页苗东铭 戴显英 吴淑静 赵天龙 邵晨峰 郝跃 
国家部委重点基金资助项目(9140A08020115DZ01024);高等学校学科创新引智计划资助项目(B12026)
为了研究晶圆级绝缘体上单轴应变硅的应力分布与应力变化趋势,首先利用绝缘体上硅晶圆在机械弯曲状态下退火的工艺,成功制作了绝缘层上单轴应变硅晶圆,其优点是工艺简单、成本低、应变量高.应用ANSYS仿真软件,重点对不同弯曲半径、不同...
关键词：机械弯曲退火 晶圆级单轴应变 绝缘体上硅 应力分布 有限元分析 
CFD模拟RPCVD的正交法优化设计与分析被引量：3
《西安电子科技大学学报》2013年第4期72-78,共7页戴显英 郭静静 邵晨峰 郑若川 郝跃 
国家重点基础研究(973)资助项目(6139801-1)
采用正交法对减压化学气相淀积生长SiGe材料的多因素、多水平计算流体动力学模拟进行优化设计.采用FLUENT软件,对正交优化设计的试验进行了密度、速度及压强分布的模拟.对生长表面9点位置处的模拟结果进行了极差和方差分析,得到了最终...
关键词：正交法 计算流体动力学 减压化学气相淀积 锗硅 
弛豫锗硅减压化学气相淀积的CFD模型及仿真被引量：1
《西安电子科技大学学报》2012年第5期186-191,共6页戴显英 郑若川 郭静静 张鹤鸣 郝跃 邵晨峰 吉瑶 杨程 
国家重点基础研究发展计划(973)资助项目(6139801-1)
基于SiGe材料化学气相淀积(CVD)生长原理,针对减压化学气相淀积(RPCVD)系统,建立了弛豫锗硅RPCVD的计算流体动力学仿真模型及相应的流体模型,采用Fluent软件对流量、压强、基座转速等工艺参数对反应室中气体密度场和速度场的影响进行了...
关键词：弛豫锗硅 减压化学气相淀积 计算流体动力学模型 密度分布 
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